发明公开
- 专利标题: 用于减少EUV图案化缺陷的多层硬掩模
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申请号: CN202180017694.8申请日: 2021-02-23
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公开(公告)号: CN115244664A公开(公告)日: 2022-10-25
- 发明人: 巴斯卡·纳加布海拉瓦 , 菲利普·弗里德尔 , 埃基米尼·阿努贾·德席尔瓦 , 詹尼弗·丘奇 , 多米尼克·梅茨勒 , 内尔松·菲力克斯
- 申请人: 朗姆研究公司 , 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州;
- 专利权人: 朗姆研究公司,国际商业机器公司
- 当前专利权人: 朗姆研究公司,国际商业机器公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州;
- 代理机构: 上海胜康律师事务所
- 代理商 李献忠; 张华
- 优先权: 62/982,956 20200228 US
- 国际申请: PCT/US2021/019245 2021.02.23
- 国际公布: WO2021/173557 EN 2021.09.02
- 进入国家日期: 2022-08-29
- 主分类号: H01L21/311
- IPC分类号: H01L21/311 ; H01L21/033 ; H01L21/67 ; C23C16/505
摘要:
本发明的各种实施方案涉及在使用极紫外光致抗蚀剂对半导体衬底进行图案化的背景下利用多层硬掩模的方法、装置和系统。多层硬掩模包括(1)包括含金属材料,例如金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物的上层,和(2)包含无机介电含硅材料的下层。多层硬掩模的这些层共同提供了优异的蚀刻选择性并减少了诸如微桥和断线之类的缺陷的形成。某些实施方案涉及多层硬掩模的沉积。其他实施方案涉及多层硬掩模的蚀刻。一些实施方案涉及多层硬掩模的沉积和蚀刻。