一种相态可控的相变薄膜的制备方法
摘要:
本发明公开一种相态可控的相变薄膜的制备方法,包括以下步骤:采用低温物理气相沉积法在衬底上形成大面积厚度均匀的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜;对所述Ge2Sb2Te5薄膜进行快速热退火处理,通过调节退火温度和退火时间,改变薄膜的相态。
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