公开(公告)号：CN117693287A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311625610.6

申请日：2023-11-30

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G06N3/067

摘要： 本发明公开一种光子突触器件及其制备方法。该光子突触器件包括：衬底；底电极，其为易氧化金属，形成在所述衬底上；具有光电导效应的异质结，形成在所述底电极上，包括第一介质层和第二介质层，均为具有感光特性的氧化物；顶电极，其为透明电极，形成在所述异质结上。

公开(公告)号：CN115261789A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210902927.9

申请日：2022-07-29

申请人： 复旦大学

发明人： 房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L45/00

摘要： 本发明公开一种相态可控的相变薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用低温物理气相沉积法在衬底上形成大面积厚度均匀的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜；对所述Ge2Sb2Te5薄膜进行快速热退火处理，通过调节退火温度和退火时间，改变薄膜的相态。

公开(公告)号：CN115241369A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210902929.8

申请日：2022-07-29

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开一种柔性阻变存储器及其制备方法。该柔性阻变存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底，其中ITO导电层作为底电极；介质层，其为相变材料，形成在所述底电极上；顶电极，其为ITO材料，形成在所述介质层上，所述顶电极的厚度与所述底电极的厚度不同，以使得上下两个电极具有不同的提供铟导电细丝的能力，从而控制阻变过程，实现不同的阻值。

公开(公告)号：CN117693286A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311625607.4

申请日：2023-11-30

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G06N3/067

摘要： 本发明公开一种光子忆阻器件及其制备方法。该光子忆阻器件包括：衬底；底电极，其为惰性金属，形成在所述衬底上；介质层，其为具有感光特性的氧化物，形成在所述底电极上；顶电极，其为透明电极，形成在所述介质层上。

公开(公告)号：CN117693285A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311625601.7

申请日：2023-11-30

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G06N3/067

摘要： 本发明公开一种神经突触器件及其制备方法。该神经突触器件包括：衬底；底电极，其为活性金属，形成在所述衬底上；介质层，其为具有感光特性的氧化物，形成在所述底电极上；顶电极，其为透明电极，形成在所述介质层上，将紫外光脉冲入射到器件的顶电极上，通过改变光学脉冲参数来调节光生载流子浓度，从而调节器件的电阻率；通过控制电压的极性来调节金属离子和氧空位在介质层内部的状态，从而达到控制电阻的目的，实现了光电双调制。

公开(公告)号：CN115275005A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210902930.0

申请日：2022-07-29

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开一种光电双调制的柔性相变忆阻器及其制备方法。该光电双调制的柔性相变忆阻器包括：柔性衬底；底电极，形成在所述柔性衬底上，其为活性金属电极，提供阻变时的导电细丝；相变介质层，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述相变介质层上，其为透明电极，以增加光的透过率，将激光脉冲入射到顶电极上，通过热效应来调节相变材料的相变状态，调节激光脉冲的参数，灵活改变相变程度，实现多个阻值连续变化，将电压施加到底电极上，通过控制电压的极性来调节导电细丝在相变材料内部的通断状态，从而控制电阻率，实现光电双调制。