公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：设置在衬底上的存储单元层，包括在竖直方向上彼此叠置的第一源/漏层、第一沟道层、第二源/漏层、第二沟道层和第三源/漏层；相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层的栅堆叠，包括栅导体层和设置在栅导体层与存储单元层之间的存储功能层；以及源极线接触部和体接触部中至少之一。源极线接触部相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层，且与存储单元层中的第一源/漏层和第三源/漏层分别电连接。体接触部相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层，且与存储单元层中的第一沟道层和第二沟道层分别电连接。