本发明涉及一种二极管及其制造方法及半导体器件，所述二极管包括：衬底；绝缘埋层，设于衬底上；半导体层，设于绝缘埋层上；阳极；阴极，包括：沟槽型接触，在沟槽内填充有接触材料；沟槽从半导体层的第一表面向半导体层的第二表面延伸，第一表面是远离绝缘埋层的表面，第二表面是朝向绝缘埋层的表面；阴极掺杂区，在沟槽型接触的四周和底部包围沟槽型接触，且还设置于沟槽型接触周围的所述第一表面；阴电极，在阴极掺杂区上并与阴极掺杂区电性连接。本发明阴极掺杂区的面积较大，因此在并联的横向绝缘栅型双极性晶体管关断时，二极管用于收集和复合少子的面积较大，二极管反向恢复的速度和效率高。