公开(公告)号：CN118507506A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310119587.7

申请日：2023-02-15

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 罗琳 ,  宋亮 ,  金华俊 ,  安丽琪 ,  李永顺 ,  王亚南

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一导电类型埋层，位于衬底中；器件主体部，位于第一导电类型埋层的上方；体引出结构，包括位于第一导电类型埋层上方、器件主体部的外侧的低阻结构，低阻结构为向下延伸的竖向结构，低阻结构包括金属和/或合金材料。本发明在bulk端设置金属结构作为低阻结构，使得空穴电流能够快速地从bulk端被吸收走，因此能减小漏电。且可以在低阻结构外壁形成一层第二导电类型的加浓区，使得电阻减小，电流路径缩短，空穴电流快速从bulk端被收走。进一步地，Iso端连接至高浓度的第一导电类型埋层，不仅形成横向的介质隔离，并且使底部埋层电势分布更均匀，减少了电流纵向的漏电。

公开(公告)号：CN118036518A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211422049.7

申请日：2022-11-14

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 韩晓婷 ,  刘新新 ,  郭硕硕 ,  李新红 ,  张心凤 ,  沈丽君 ,  杨洋 ,  孙岩杰 ,  常晶晶

IPC分类号： G06F30/33 ,  G06F30/337

摘要： 本申请涉及一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法及系统。该建模方法包括：获取N型电阻的第一影响参数和P型电阻的第二影响参数；根据第一影响参数和第二影响参数分别对N型电阻和P型电阻进行建模，以得到N型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第一对应关系，以及P型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第二对应关系；将N型电阻和P型电阻串联得到电阻体，对电阻体建模，并根据第一对应关系和第二对应关系确定电阻体中N型电阻和P型电阻的比例关系。本申请能够减小甚至消除衬底电压对电阻体的电阻值的影响。

公开(公告)号：CN117913136A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202211232995.5

申请日：2022-10-10

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本申请涉及一种超结LDMOS器件及其制备方法，该超结LDMOS器件包括：衬底、外延层、源引出区、漏引出区和超结漂移区。其中，外延层位于衬底上；源引出区和漏引出区沿第一方向间隔设置于外延层内；超结漂移区位于源引出区和漏引出区之间；超结漂移区包括沿第二方向相邻排布的至少一个第一柱区和至少一个第二柱区；由超结漂移区靠近源引出区的一端至超结漂移区靠近漏引出区的一端，第一柱区在第三方向上的深度处处相等，第二柱区在第三方向上的深度逐渐减小。本申请能够提高超结LDMOS器件耐压。

公开(公告)号：CN117666271A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211024938.8

申请日：2022-08-25

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 张剑 ,  王谨恒 ,  王浩 ,  陈洁 ,  朱斌 ,  曹楠

IPC分类号： G03F1/36

摘要： 本申请涉及一种光学邻近修正方法和掩膜板，该方法包括：提供具有3Bar结构的原始版图；获取所述3Bar结构的待补偿Bar图形的偏差；于所述原始版图中选定所述3Bar结构；根据所述偏差对所述3Bar结构的所述待补偿Bar图形进行补偿，以获取第一修正版图；对所述第一修正版图进行光学邻近图形修正，以获取第二修正版图。本申请相当于在光学邻近修正之前对3Bar结构进行预处理(预补偿)，因此，后续的光学邻近修正处理中产生偏差时，是在预补偿的基础上产生偏差，从而降低了光学邻近修正结果的偏差值，改善了光学邻近修正对3Bar结构的修正效果，降低了3Bar结构的实际尺寸与目标尺寸的偏差。

公开(公告)号：CN117558751A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202210931173.X

申请日：2022-08-04

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 王万 ,  肖魁 ,  卞铮 ,  柴晨凯 ,  杨翔宇

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法，所述场截止型绝缘栅双极晶体管包括漂移区、正面结构及背面结构，所述背面结构包括：电极层；集电区，位于所述电极层上，具有第二导电类型；场截止层，位于所述集电区上，具有第一导电类型，所述漂移区位于所述场截止层上；其中，所述集电区和场截止层形成有缺口从而构成缺口区，所述缺口区具有第一导电类型，所述缺口区的掺杂浓度小于所述场截止层的掺杂浓度，所述漂移区具有第一导电类型。本发明能够进一步提高器件耐压。

公开(公告)号：CN117524874A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210911820.0

申请日：2022-07-29

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 许超奇 ,  张仪

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取衬底，衬底具有填充有绝缘介质的沟槽；光刻并对绝缘介质进行湿法刻蚀，使一部分光刻胶下方的绝缘介质被去除从而形成悬空的光刻胶；通过去胶设备去除悬空的光刻胶，刻蚀窗口扩大；通过刻蚀窗口再次对绝缘介质进行湿法刻蚀，剩余的绝缘介质形成覆盖沟槽侧面的介质结构，且介质结构具有斜坡表面，斜坡表面与沟槽的底部的衬底的夹角为5至20度；在衬底中形成漏极区；在沟槽底部的衬底中形成源极区；形成栅极，栅极从介质结构的表面向源极区延伸，并覆盖漏极区的一侧。本发明通过两次湿法刻蚀工艺刻蚀获得斜面更平缓的介质结构，可以获得更高的击穿电压。

公开(公告)号：CN117497489A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202210885981.7

申请日：2022-07-26

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 张松 ,  刘群 ,  周耀辉 ,  王德进

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

摘要： 本发明提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供包括CMOS区和LDMOS区的基底；在基底中形成注入阱，注入阱与基底的上表面具有大于零的间距，注入阱包括位于CMOS区的基底中的第一注入阱以及位于LDMOS区的基底中的第二注入阱；在CMOS区的基底上方形成第一栅极，同时在LDMOS区的基底上方形成第二栅极；在基底中的顶部区域形成体区，体区从基底的上表面延伸至第二注入阱；在CMOS区执行LDD注入，LDD注入的掺杂剂穿过第一栅极并在第一栅极下方的基底中形成LDD注入区。利用该制作方法制作半导体结构，能够在不增加生产成本的情况下，解决LDMOS器件均匀性差的问题。本发明还提供一种半导体结构。

公开(公告)号：CN117438460A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210820911.3

申请日：2022-07-13

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  宋华 ,  张志丽 ,  章文通 ,  文天龙

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；源极区和漏极区，位于所述第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区上；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置；顶部第二导电类型区，设于源极区和第一绝缘隔离结构之间，且靠近第二导电类型阱区的顶部设置，顶部第二导电类型区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度；至少一个第二导电类型埋置区，掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明能够使维持电压提高，原本因电流集中而未开启的区域随着维持电压的提高可以有机会开启。

公开(公告)号：CN117374132A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202210756732.8

申请日：2022-06-30

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 杨新娇 ,  张花威

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0203

摘要： 本发明涉及一种光电传感器的制造方法及双层金属结构的形成方法，所述制造方法包括：形成包括桥面区和桥腿区的第一金属层；在除桥面区外的第一金属层上形成第一保护层；在桥面区和第一保护层上形成光刻胶层；光刻去除位于桥面区上的光刻胶；通过蒸镀，在桥面区上形成金属加厚层；去除光刻胶层；在金属加厚层和第一保护层上形成第二保护层；在第二保护层上形成具有第一通孔的第一牺牲层；在第一牺牲层上形成第一部件；形成将金属加厚层上的第二保护层贯穿的第二通孔；形成与第一部件和第一金属层形成电性连接的第二金属层；释放第一牺牲层。本发明可以使桥腿区的金属层做得很薄，薄的桥腿区能够减少热传导过程中热量的损耗，从而提升产品性能。

公开(公告)号：CN117352561A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202210745402.9

申请日：2022-06-27

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 张花威 ,  夏长奉 ,  周国平

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/02

摘要： 本发明提供一种用于红外探测器的盖帽结构及其形成方法。该盖帽结构及其形成方法中，衬底的正面形成有第一凹槽，第一凹槽限定出间隔分布的多个第一信号接收柱，衬底的背面形成有第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽位置对应，且第二凹槽限定出间隔分布的多个第二信号接收柱，环绕第一凹槽的侧墙结构形成于衬底正面上。本发明利用形成在衬底正面和背面的多个第一信号接收柱和多个第二信号接收柱替代传统的红外窗口薄膜，且在衬底正面上直接形成侧墙结构，可以降低盖帽结构的制作难度和提高产品良率。