本发明提供了一种具有P1线槽的导电基底的制备方法，包括：提供一基底，所述基底的表面包括互补的第一区域和第二区域；在所述基底的第一区域上形成光刻胶，所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域；在所述基底的第二区域上形成导电层；去除所述光刻胶，形成所述P1线槽。该制备方法在基底上形成导电层和P1线槽时，无需对导电层进行划刻处理，也就避免了现有技术中对导电层进行划刻处理形成P1线槽所带来的缺陷，进而减少对后续沉积膜层质量的影响；当该导电基底用于太阳能电池的制作时，还会减小对电池电荷传输和效率的影响。