发明公开
- 专利标题: 一种具有P1线槽的导电基底的制备方法
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申请号: CN202210951304.0申请日: 2022-08-09
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公开(公告)号: CN115274931A公开(公告)日: 2022-11-01
- 发明人: 李卫东 , 熊继光 , 赵建勇 , 杨永军 , 赵志国 , 赵东明 , 叶林 , 李新连 , 张赟 , 刘家梁 , 李梦洁
- 申请人: 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 , 华能新能源股份有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区北七家未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼;
- 专利权人: 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司,华能新能源股份有限公司
- 当前专利权人: 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司,华能新能源股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区北七家未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼;
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 张影
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明提供了一种具有P1线槽的导电基底的制备方法,包括:提供一基底,所述基底的表面包括互补的第一区域和第二区域;在所述基底的第一区域上形成光刻胶,所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域;在所述基底的第二区域上形成导电层;去除所述光刻胶,形成所述P1线槽。该制备方法在基底上形成导电层和P1线槽时,无需对导电层进行划刻处理,也就避免了现有技术中对导电层进行划刻处理形成P1线槽所带来的缺陷,进而减少对后续沉积膜层质量的影响;当该导电基底用于太阳能电池的制作时,还会减小对电池电荷传输和效率的影响。