Invention Publication
- Patent Title: 一种低损耗DFB激光器及其制造方法
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Application No.: CN202210904506.XApplication Date: 2022-07-29
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Publication No.: CN115275775APublication Date: 2022-11-01
- Inventor: 单智发 , 张永 , 张双翔 , 陈阳华
- Applicant: 全磊光电股份有限公司
- Applicant Address: 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区同龙二路567号1-3层
- Assignee: 全磊光电股份有限公司
- Current Assignee: 全磊光电股份有限公司
- Current Assignee Address: 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区同龙二路567号1-3层
- Agency: 苏州翔远专利代理事务所
- Agent 刘计成
- Main IPC: H01S5/12
- IPC: H01S5/12 ; H01S5/22 ; H01S5/343
Abstract:
本发明公开了一种低损耗DFB激光器，该低损耗DFB激光器的外延结构上生长两层P‑AlGaInAs外延层，并通过芯片工艺氧化，形成P‑AlGaInAs氧化限制层，采用这种结构可使脊条的宽度较宽，可降低DFB激光器的欧姆接触电阻，采用氧化限制层调节可DFB激光器的光场宽度，同时利用氧化限制层折射率较低的特性，可压缩DFB激光器光场模式，降低光场在P‑InP脊波导中的比例，降低光吸收损耗。
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