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公开(公告)号：CN111404026B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010312648.8
申请日：2020-04-20
Applicant: 全磊光电股份有限公司
Abstract: 一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N‑InP缓冲层、N‑AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；在所述N‑InP缓冲层与所述N‑AlInAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP；本方案设计的一种高性能DFB激光器结构，在N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP，可以获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性，同时还能平滑N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层之间的导带能阶差，减小DFB激光器的电阻，提高DFB激光器的性能。
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公开(公告)号：CN115347457B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211020024.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 全磊光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体激光器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；在所述隔离区的表面内形成深沟槽；在所述器件区的表面上形成外延层，基于所述深沟槽导致的外延生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述深沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构，在所述外延层上形成所述非吸收窗口层，减小了激光器的光学灾变损伤，且采用深沟槽的方式生长所述外延层，无介质膜影响量子阱生长质量，工艺简单可靠，成本低，从而有利于提高生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN115274926B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210910685.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 全磊光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器结构的制备方法。光电探测器结构的制备方法包括：给定一衬底，在衬底上形成第一欧姆接触层；于第一欧姆接触层的表面形成绝缘层，并于绝缘层内形成开孔，开孔暴露出部分第一欧姆接触层的表面；采用外延生长工艺于开孔内形成依次叠置的过渡层、吸收层和本征欧姆接触层，过渡层的厚度小于开孔的深度，且过渡层的侧壁及吸收层的侧壁均与开孔的侧壁相接触；对本征欧姆接触层进行掺杂扩散，以形成掺杂的第二欧姆接触层。外延生长出的过渡层和吸收层的侧壁平整度可达到原子级，显著减低器件暗电流，提高器件灵敏度，降低侧壁漏电；过渡层、吸收层和本征欧姆接触层可以帮助消除漏电的发生。
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公开(公告)号：CN115818892A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211674741.9
申请日：2022-12-26
Applicant: 全磊光电股份有限公司
IPC: C02F9/00 , C02F1/52 , C02F1/62 , C02F1/66 , C02F11/122 , C02F1/00 , C02F103/34 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种电子工业废水净化系统，该系统主要由高浓度砷废水收集罐、低浓度砷废水收集罐、含砷废水均和池、第一序批反应釜、第二序批反应釜、自动加药系统、污泥处理系统及过滤中和系统几部分组成。该电子工业废水净化系统将不同浓度的含砷废水设置在不同的砷废水收集罐内，针对不同砷含量的废水选用不同数量的序批反应釜进行废水处理，通过多个序批反应釜串联设计分批次对废水进行处理，可有效提高废水处理效果，提高废水处理效率，满足《电子工业污染物排放标准（二次征求意见稿）》对废水的排放要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597764B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210163029.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 全磊光电股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器，包括：在P型衬底层上依次生长外延层和图形化的N型光栅层，其中，外延层包括由下至上层叠设置的P型缓冲层、P型限制层、P型波导层、量子阱有源层、N型波导层、N型限制层和N型缓冲层；在图形化的N型光栅层上依次生长光栅掩埋层、牺牲层和图形化的硬掩膜层；通过图形化的硬掩膜层刻蚀牺牲层、光栅掩埋层、图形化的N型光栅层、外延层以及P型衬底的两侧，以形成两侧的台面；在各台面上生长电流限制结构，电流限制结构用于限制漏电流；去除图形化的硬掩膜层和牺牲层；在光栅掩埋层和电流限制结构的表面依次生长联接层、势垒层和欧姆接触层，以实现低阈值的掩埋异质结结构的制备。
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公开(公告)号：CN115275775A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210904506.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 全磊光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低损耗DFB激光器，该低损耗DFB激光器的外延结构上生长两层P‑AlGaInAs外延层，并通过芯片工艺氧化，形成P‑AlGaInAs氧化限制层，采用这种结构可使脊条的宽度较宽，可降低DFB激光器的欧姆接触电阻，采用氧化限制层调节可DFB激光器的光场宽度，同时利用氧化限制层折射率较低的特性，可压缩DFB激光器光场模式，降低光场在P‑InP脊波导中的比例，降低光吸收损耗。
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公开(公告)号：CN112701563B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011591704.2
申请日：2020-12-29
Applicant: 全磊光电股份有限公司
IPC: H01S5/183 , H01S5/227 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：1）SIO2掩盖层生长，利用PEALD生长SIO2掩蔽膜；2）MESA光刻；3）SIO2掩盖层蚀刻；4）MESA腐蚀；5）二次外延。该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD（等离子增强型原子层沉积）生长的SIO2膜层，为原子层面的沉积，相对PECVD生长，膜层更致密，无针孔，其膜层与基片表面粘附性极强，50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求，且生长时应力较小，二次外延生长的掩埋层更均匀。
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公开(公告)号：CN112531460B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011414249.9
申请日：2020-12-07
Applicant: 全磊光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改善激光器高温特性的DFB激光器，DFB激光器的外延结构包括InP衬底，在InP衬底由下向上依次设置有缓冲层、光栅层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、电子阻挡层、腐蚀阻挡层、脊波导层、势垒渐变层和欧姆接触层，电子阻挡层为采用三元组分的AlAs0.56Sb0.44与四元组分的AlxGa(1‑x)AsySb(1‑y)材料形成超晶格。该DFB激光器的外延结构利用能带工程设计了宽禁带的超晶格电子阻挡层限制载流子，一方面利用高的势垒减小高温下载流子溢出量子阱有源区的几率，另一方面利用超晶格降低价带势垒，有利于空穴注入到有源区，可有效改善激光器的高温特性，本发明的DFB激光器能工作在‑40~115℃的温度范围正常工作。
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公开(公告)号：CN112701563A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011591704.2
申请日：2020-12-29
Applicant: 全磊光电股份有限公司
IPC: H01S5/183 , H01S5/227 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：1）SIO2掩盖层生长，利用PEALD生长SIO2掩蔽膜；2）MESA光刻；3）SIO2掩盖层蚀刻；4）MESA腐蚀；5）二次外延。该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD（等离子增强型原子层沉积）生长的SIO2膜层，为原子层面的沉积，相对PECVD生长，膜层更致密，无针孔，其膜层与基片表面粘附性极强，50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求，且生长时应力较小，二次外延生长的掩埋层更均匀。
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