发明公开
- 专利标题: 一种纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层及其制备方法
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申请号: CN202211035260.3申请日: 2022-08-26
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公开(公告)号: CN115341167A公开(公告)日: 2022-11-15
- 发明人: 刘俊凯 , 杨丽 , 周益春 , 程春玉 , 曹可 , 李聪 , 孙宇 , 李桂芳
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 贺建斌
- 主分类号: C23C8/24
- IPC分类号: C23C8/24 ; C23C8/02 ; C23C8/80 ; C23C14/16 ; C23C14/32 ; C23C14/35
摘要:
一种纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层及其制备方法,纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层包括锆合金基体表面设有的纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层,纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层外侧设有Cr金属涂层;制备方法是先对锆合金基体表面进行预处理,使得样品表面呈镜面且光洁;然后将预处理后的锆合金基体材料在氮气中进行表面激光喷丸处理,激光处理后样品在氮气中冷却,生成纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层;最后在ZrN扩散屏蔽层外侧喷涂Cr金属涂层,最终得到锆合金基体外依次设有纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层、Cr金属涂层;本发明扩散屏蔽效果好,制备温度低,制备成本低,制备效率高。
公开/授权文献
- CN115341167B 一种纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层及其制备方法 公开/授权日:2024-01-16
IPC分类: