一种基于蒙特卡罗的高速旋转热障涂层可靠性评估方法

    公开(公告)号:CN117313461B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202311228132.5

    申请日:2023-09-22

    摘要: 一种基于蒙特卡罗的高速旋转热障涂层可靠性评估方法,包括以下步骤;步骤一:分析燃气热冲击下高速旋转热障涂层的失效行为,获得热力化耦合主要破坏模式;步骤二:根据主要破坏模式建立失效准则,得到功能函数或极限状态函数;步骤三:确定热力化耦合服役环境、微结构、性能的各参量的随机统计特性;步骤四:利用蒙特卡罗法程序进行热障涂层可靠性计算,获得涡轮叶片上单个节点的失效概率;步骤五:将计算结果做成可靠性分布云图;步骤六:拟合失效概率和各参量的二次函数,计算随机参数的平均值敏感性因子:步骤七:根据敏感性分析,获得高速旋转热障涂层的关键影响因素。本发明能准确预测出燃气热冲击下高速旋转热障涂层的失效概率及失效位置。

    一种K波段可调谐铁电滤波器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118487014A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410709615.5

    申请日:2024-06-03

    摘要: 本发明公开了一种K波段可调谐铁电滤波器,包括自下而上依次设置的衬底、第一保护层和传输线金属电极,其中,在传输线金属电极上表面设置有多个间隔的MIM氧化铪基铁电电容;在多个间隔的MIM氧化铪基铁电电容上设置有第二保护层,第二保护层能够包覆MIM氧化铪基铁电电容;在第二保护层的上表面设置有S信号传输线电极和G信号传输线电极,S信号传输线电极通过贯穿第二保护层的金属连接线连接至传输线金属电极;G信号传输线电极通过贯穿第二保护层的金属连接线连接至传输线金属电极和MIM氧化铪基铁电电容的上表面。本发明的K波段可调谐铁电滤波器可以解决器件在K波段信号质量问题和集成度受成本限制的问题。

    一种考虑热力化耦合的高速旋转热障涂层可靠性评价方法

    公开(公告)号:CN118378485A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410539392.2

    申请日:2024-04-30

    摘要: 本发明公开了一种考虑热力化耦合的高速旋转热障涂层可靠性评价方法,包括以下步骤:步骤一:构建考虑高速旋转的宏观涡轮叶片热障涂层几何模型;步骤二:构建考虑热力化耦合的热障涂层微观结构几何模型;步骤三:建立相应的失效准则,测量每个随机参数的分布类型;步骤四:输入COMSOL不确定性量化模块并定义捕捉Mises应力的探针;步骤五:采用自适应高斯过程对其进行训练得到代理模型;步骤六:计算热障涂层的失效概率;步骤七:对失效概率可视化得到可靠性云图;步骤八:提炼热障涂层的关键影响因素。本发明能综合考虑热力化耦合与分散性的本质以及高速旋转作用,来提高工作叶片热障涂层可靠性评价的准确性,同时提高计算效率,降低计算成本。

    无衬底和电极自支撑结构的HfO2基铁电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117915666A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410070232.8

    申请日:2024-01-17

    IPC分类号: H10B53/30

    摘要: 本发明公开了一种无衬底和电极自支撑结构HfO2基铁电薄膜的制备方法,属于薄膜制备领域,包括步骤:在带有SiO2层的硅衬底上沉积底电极;在底电极表面沉积HfO2基铁电薄膜;在HfO2基铁电薄膜表面沉积顶电极;将得到的带有SiO2层硅衬底的HfO2基铁电薄膜进行热处理结晶;将SiO2层作为牺牲层,用碱溶液溶解掉SiO2牺牲层得到去除SiO2牺牲层硅衬底的HfO2基铁电薄膜;溶解掉电极得到无衬底和电极约束自支撑结构HfO2基铁电薄膜。本发明的制备方法克服了衬底和电极对薄膜的束缚,SiO2作为牺牲层也减小了对HfO2基铁电薄膜电学性能和晶体结构的影响,是一种成本低廉、简单易行的制备方法。

    一种铁电薄膜移相器、晶圆级相控阵芯片系统

    公开(公告)号:CN116742299A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310492361.1

    申请日:2023-05-04

    IPC分类号: H01P1/18

    摘要: 本发明公开了一种铁电薄膜移相器、晶圆级相控阵芯片系统,包括:衬底层;隔绝信号层位于衬底层上;第一、第二和第三顶层传输线电极间隔分布于隔绝信号层上;其中,第一和第二顶层传输线电极位于隔绝信号层两端,第三顶层传输线电极位于隔绝信号层中间区域;底层传输线电极,位于隔绝信号层内;中间传输线结构位于底层传输线电极中间区域,且邻接第三顶层传输线电极;MIM氧化铪基铁电电容结构位于底层传输线电极两端;金属传输线结构位于MIM氧化铪基铁电电容结构与第一顶层传输电极之间,以及位于MIM氧化铪基铁电电容结构与第二顶层传输电极之间。本发明结构可以实现晶圆一体式集成,其制备完全与现有的CMOS工艺线兼容。

    基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115633507A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211152412.8

    申请日:2022-09-21

    IPC分类号: H10B53/30 H10B20/00

    摘要: 本发明公开了一种基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法,所述器件自下而上依次包括衬底、底电极、多相薄膜层以及顶层覆盖层,其中,所述多相薄膜层由铁电相和反铁电相混合形成,所述铁电相和所述反铁电相均为氧化铪基铁电材料,所述顶层覆盖层为导电材料。本发明利用铁电相和反铁电相调控机制的耦合作用,可以实现在保持一定剩余极化强度的同时提升薄膜的抗疲劳性能,满足铁电存储器件对于铁电薄膜抗疲劳性能的需求。

    一种纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115341167A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202211035260.3

    申请日:2022-08-26

    摘要: 一种纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层及其制备方法,纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层包括锆合金基体表面设有的纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层,纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层外侧设有Cr金属涂层;制备方法是先对锆合金基体表面进行预处理,使得样品表面呈镜面且光洁;然后将预处理后的锆合金基体材料在氮气中进行表面激光喷丸处理,激光处理后样品在氮气中冷却,生成纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层;最后在ZrN扩散屏蔽层外侧喷涂Cr金属涂层,最终得到锆合金基体外依次设有纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层、Cr金属涂层;本发明扩散屏蔽效果好,制备温度低,制备成本低,制备效率高。

    一种多值存储氧化铪基铁电薄膜及其存储方法、应用

    公开(公告)号:CN118900623A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410945278.X

    申请日:2024-07-15

    摘要: 本发明涉及一种多值存储氧化铪基铁电薄膜及其存储方法、应用,铁电薄膜包括:至少两层氧化铪基铁电层,其中,所述至少两层氧化铪基铁电层层叠设置,所述至少两层氧化铪基铁电层具有不同的矫顽电场,且两层所述氧化铪基铁电层的矫顽电场差值大于或等于0.3MV/cm。本发明可以实现更多的存储状态,由于各层氧化铪基铁电层的矫顽电场存在差异,且每层氧化铪基铁电层的极化随着电场强度的增加而逐渐增加,不同层之间的极化由于矫顽电场的差异而阶梯式翻转,通过不同层铁电极化的阶梯式翻转和每层铁电极化的逐渐翻转可以实现更多的存储状态,而多层铁电薄膜的结构使得不同极化状态之间的差异更加明显,从而在可以实现高可靠性的多值存储。

    一种模拟航空发动机涡轮叶片服役环境的环形喷枪装置

    公开(公告)号:CN118882107A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410935971.9

    申请日:2024-07-12

    IPC分类号: F23R3/28 F23R3/26

    摘要: 本发明公开了一种模拟航空发动机涡轮叶片服役环境的环形喷枪装置,包括超音速燃气喷枪、环形腔体、聚流器、后端盖、前端盖;所述环形腔体的前后端面分别设置前端盖和后端盖,环形腔体内部的正中心位置设置聚流器,超音速燃气喷枪均匀布置在后端盖的圆周表面位置;所述超音速燃气喷枪用于提供高温、冲蚀、腐蚀等热力化耦合的近真实服役环境;超音速燃气喷枪把雾化介质喷到环形腔体内,经点火塞点燃后,环形腔体以及聚流器将点燃后的火焰聚集成环形状,并从前端盖的环形口喷出;本发明能够实现航空发动机涡轮叶片热障涂层高温、冲蚀、腐蚀等热力化耦合的近真实服役环境的模拟,为理解高温部件在复杂服役环境下的失效过程及失效机理提供重要平台。