- 专利标题: 半导体器件和使用N2吹扫利用高粘性液体光致抗蚀剂涂覆半导体晶片的方法
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申请号: CN202210325327.0申请日: 2022-03-30
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公开(公告)号: CN115346859A公开(公告)日: 2022-11-15
- 发明人: 南基雄 , 张政焕 , 黄仁熙 , 崔泰奎 , 朴相泫
- 申请人: 星科金朋私人有限公司
- 申请人地址: 新加坡新加坡市
- 专利权人: 星科金朋私人有限公司
- 当前专利权人: 星科金朋私人有限公司
- 当前专利权人地址: 新加坡新加坡市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘书航; 陈岚
- 优先权: 17/319785 20210513 US
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/027 ; H01L21/67 ; B05C5/02 ; B05C9/10 ; B05C9/12 ; B05C11/08 ; B05C13/02
摘要:
公开了半导体器件和使用N2吹扫利用高粘性液体光致抗蚀剂涂覆半导体晶片的方法。一种半导体制造设备,具有外杯和内杯,其中在外杯内部署有晶片吸盘支架。当以第一速度旋转时,将光致抗蚀剂材料施加到部署在晶片吸盘支架上的半导体晶片的第一表面。气体端部被部署在内杯上以用于分配被定向为朝向半导体晶片的底部侧的气体。气体端部利用气体吹扫半导体晶片的第二表面以移除污染物。在利用气体进行吹扫的同时冲洗半导体晶片的第二表面。气体可以是稳定的或惰性的气体,诸如氮气。通过内杯和外杯之间的出口将污染物从半导体晶片的第二表面移除。在中断利用气体的吹扫之后,半导体晶片以更大的第二速度旋转。
IPC分类: