公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的多量子阱层；位于所述多量子阱层上的P型半导体层；与所述P型半导体层相连接的第一电极；以及与所述P型半导体层连接的第二电极；其中，所述N型半导体层和P型半导体层中的至少一层包括量子阱吸收层，所述量子阱吸收层为具有至少一个周期的量子阱结构，以吸收所述多量子阱层的辐射光中的部分份额。本发明实施例的发光二极管及其制备方法，通过在发光二极管的出光侧增设量子阱吸收层，在不需要使用额外滤波装置的情况下，通过发光二极管本身的外延结构对所述多量子阱层的辐射光进行过滤。