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公开(公告)号：CN114023856B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111163349.3
申请日：2021-09-30
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面；第一介质层，位于衬底的第二表面，且至少覆盖部分衬底的第二表面，第一介质层的折射率介于所述衬底和空气之间。本申请通过在衬底的第二表面形成第一介质层，第一介质层的折射率介于衬底和空气之间。进而通过第一介质层使得发光二极管从衬底到空气的折射率渐变降低以降低全反射效应，有效改善了发光二极管的光提取效率，进而提高了发光二极管的光学性能指标。
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公开(公告)号：CN118248797A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410508394.5
申请日：2024-04-25
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管，包括衬底、外延层、第一电极和第二电极，衬底的第一表面及上方分成第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的边缘，外延层包括由上至下依次设置于衬底的第一表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极电性连接第二半导体层，第二电极电性连接第一半导体层。第二半导体层及发光层位于第一区域中，第一半导体层位于第一区域并延伸至第二区域中，增大了外延层的面积，可以减小发光二极管的电流密度以缓解发光效率降低问题，外延层位于第二区域中的部分不发光，不会对发光二极管的光形等光学性能产生不良影响。相应的，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法。
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公开(公告)号：CN118198216A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410523788.8
申请日：2024-04-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管、LED外延结构及其制备方法，其中LED外延结构从下至上依次包括：位于半导体衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，第二型半导体层包括第二型欧姆接触层以及位于第二型欧姆接触层上的分布式布拉格反射镜层，分布式布拉格反射镜层为第一结构层和第二结构层交替生长形成的周期性结构。本发明通过将分布式布拉格反射镜层设置在第二型欧姆接触层上，可以保证分布式布拉格反射镜层将最大数目的光线反射，提高N型半导体层一侧出光的LED的亮度。
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公开(公告)号：CN118136761A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410161249.4
申请日：2024-02-04
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括透明衬底、键合层、外延层、导光层、反射层、第一电极和第二电极。外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，外延层中具有凹槽。凹槽设置在第一电极和第二电极之间并具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁靠近第一电极，第二侧壁靠近第二电极。导光层设置在凹槽中并至少覆盖第二侧壁和槽底，反射层避开第一电极和第二电极覆盖外延层和导光层。当发光二极管正向偏置，有源层发光，有源层朝向凹槽方向发出的光射入导光层并沿导光层从槽底一侧射出。本发明实施例通过设置凹槽和设置在凹槽中的导光层，传导射入导光层的光线，提高发光二极管发光效率。
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公开(公告)号：CN117276443A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311231021.X
申请日：2023-09-22
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底，所述衬底的第一表面形成有第一电极；键合结构，位于所述衬底的与所述第一表面相背的第二表面；反射镜结构，位于所述键合结构上；外延层，位于所述反射镜结构上，所述外延层包括自下向上依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述第二半导体层包括第二电流扩展层；透明导电氧化物结构，位于所述第二电流扩展层中；第二电极，位于所述第二电流扩展层的边缘且远离所述透明导电氧化物结构，所述第二电极为透明电极。本发明的技术方案使得发光二极管的光电效率得到明显提高。
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公开(公告)号：CN117059716A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311218183.X
申请日：2023-09-20
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种红外LED外延结构及其制备方法，其中，红外LED外延结构从下至上依次包括：衬底、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，有源层从下至上依次包括前置量子阱结构和主量子阱结构，前置量子阱结构为前置阱层和前置垒层交替生长形成的周期性结构，且前一周期的前置阱层的In组分大于后一周期的前置阱层的In组分，和/或，前一周期的前置阱层的厚度大于后一周期的前置阱层的厚度。本发明通过前置量子阱结构的设置可以提高红外LED的发光强度和温度特性。
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公开(公告)号：CN113823717B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111093503.4
申请日：2021-09-17
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构，从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层包括依次堆叠的第一型限制层、第一阻挡层以及第一型空间层；所述第二型半导体层包括依次堆叠的第二型空间层、第二阻挡层以及第二型限制层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层为Al组分渐变的结构层。本发明通过在第一型限制层和第一型空间层之间插入Al组分渐变的第一阻挡层，在第二型空间层和第二型限制层之间插入Al组分渐变的第二阻挡层，可以提高LED的内量子效率，进而提高其发光效率。
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公开(公告)号：CN116936698A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310958120.1
申请日：2023-08-01
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管从下至上依次包括：衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，第一缓冲层为AlON层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第二缓冲层为第二AlGaN层，第三缓冲层为第三AlGaN层和第四AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第四缓冲层为第五AlGaN层和InGaN层交替生长形成的周期性结构。所述第一缓冲层至第四缓冲层可以缓解衬底与外延层的晶格失配、热失配，缓解应力，改善发光二极管的晶体质量和出光方向，进而提高发光二极管的出光效率和发光亮度。
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公开(公告)号：CN116825911A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310784647.7
申请日：2023-06-29
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其中发光层为垒层和阱层交替生长形成的周期性结构，每个周期中的所述阱层均包括从下至上依次堆叠的InbGa1‑bN阱层、IncGa1‑cN阱层和GaN阱层，且b>c。本发明通过阱层设计可以提高LED的发光效率和亮度。
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公开(公告)号：CN116759499A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310676306.8
申请日：2023-06-08
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种隧穿结及制备方法、双结红外LED外延结构及制备方法，隧穿结由下至上依次包括第一掺杂层、渐变掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和渐变掺杂层均掺杂有相同类型的掺杂剂，所述第一掺杂层和第二掺杂层掺杂有不同类型的掺杂剂，所述渐变掺杂层中包含有P组分和As组分，且所述渐变掺杂层为P组分和As组分的渐变层，且所述P组分与As组分的变化趋势相反，通过所述渐变掺杂层中的As和P由下至上的渐变，实现了As和P的有效切换，有效改善界面质量和晶体生长质量，减小串联电阻，降低工作电压，从而提升光电转换效率。
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