- 专利标题: 一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池
-
申请号: CN202210822975.7申请日: 2022-07-13
-
公开(公告)号: CN115360478B公开(公告)日: 2024-03-29
- 发明人: 欧阳志勇 , 程抱昌 , 赵婕
- 申请人: 南昌大学
- 申请人地址: 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
- 专利权人: 南昌大学
- 当前专利权人: 南昌大学
- 当前专利权人地址: 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
- 代理机构: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 王焕巧
- 主分类号: H01M50/451
- IPC分类号: H01M50/451 ; H01M50/489 ; H01M10/052 ; H01M10/0585 ; H01M10/42 ; H01M50/403 ; H01M50/417 ; H01M50/431 ; H01M50/446
摘要:
本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜,包括隔膜基底,所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层,所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法,通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁,进而得到隔膜改性浆料,将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上,并在真空干燥箱中干燥,待干燥后裁剪为圆片,即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应,采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
公开/授权文献
- CN115360478A 一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池 公开/授权日:2022-11-18