一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法

    公开(公告)号:CN105226179A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510424606.2

    申请日:2015-07-20

    申请人: 南昌大学

    发明人: 程抱昌 赵婕

    IPC分类号: H01L35/02 H01L35/34

    摘要: 一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法,热发电机包括绝缘基底、单根一维同质结微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根一维同质结微/纳米线放置在绝缘基底上,单根一维同质结微/纳米线两端分别焊接电极,电极分别连接有导线;封装材料将整个单根一维同质结微/纳米线、电极封装在薄膜基底上。本发明利用单根一维同质结微/纳米线中的成分差形成费米能级不均匀分布,实现所述热发电机在温度随空间位置变化、温度随时间变化以及温度稳定的环境中的应用。本发明制备工艺简易,操作简便,可在大气环境中无需消耗其他能源的情况下实现发电,有效提高了环境能源的收集和利用。

    一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池

    公开(公告)号:CN115360478A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210822975.7

    申请日:2022-07-13

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜,包括隔膜基底,所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层,所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法,通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁,进而得到隔膜改性浆料,将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上,并在真空干燥箱中干燥,待干燥后裁剪为圆片,即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应,采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。

    一种利用废弃原料制备高质量有机无机钙钛矿薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112467032A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011159673.3

    申请日:2020-10-27

    申请人: 南昌大学

    IPC分类号: H01L51/00 H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了一种利用废弃原料制备高质量有机无机钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)将基底进行表面处理;(2)将受潮的废弃原料与基底结合,并置于所述高温设备中进行负压处理;(3)向所述高温设备腔体内通入惰性气体,并使得腔体内稳定在设置的负压状态;(4)将所述高温设备腔体升温至设定负压下的升华温度,然后保温保压直至所述基底上获得有机无机钙钛矿薄膜。本发明利用在潮湿环境中长时间暴露的废弃原料来制备高质量的有机无机钙钛矿薄膜,一方面可以使废弃原料重新被利用,另一方面不需要高纯度的原料,降低了制造成本。

    一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底

    公开(公告)号:CN112466795A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011243161.5

    申请日:2020-11-10

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底,包括:S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层,制备周期性Micro LED发光单元的阵列;S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底,制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列,获得转移衬底;S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料;S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料;S5将S1获得的Micro LED发光单元,一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底,去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接;S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀,微坑填入热塑性层形成弱连接结构,实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。

    一种多色Micro LED发光模组制备方法

    公开(公告)号:CN111769103A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010601783.4

    申请日:2020-06-29

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1-x-yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元;S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移;S3重复S2,将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术,在发光结构之间形成金属连接层,将不同颜色发光结构连接在一起,实现多色Micro LED的制备,具有结构稳定、易于操作等特点。

    一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法

    公开(公告)号:CN105702857A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610160435.1

    申请日:2016-03-21

    申请人: 南昌大学

    发明人: 赵婕 程抱昌

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法,阻变存储器包括绝缘衬底、单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、封装材料等。单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线置于绝缘衬底上,其两端分别焊接电极;封装材料将单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极封装在绝缘衬底上。信息写入时在两端电极之间施加写入电压。非易失性多比特存储时在两端电极之间施加写入电压,然后撤去写入电压并施加读取电压。信息擦除时在两端电极之间施加写入电压,然后撤去写入电压并施加读取电压,再置于70℃环境中,随后置于室温中。本发明实现了对电场信息的响应及存储,工艺简便、体积小、轻巧便携、兼容性好,能高效利用。

    一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池

    公开(公告)号:CN115360478B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202210822975.7

    申请日:2022-07-13

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜,包括隔膜基底,所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层,所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法,通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁,进而得到隔膜改性浆料,将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上,并在真空干燥箱中干燥,待干燥后裁剪为圆片,即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应,采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。

    一种多色Micro LED发光模组制备方法

    公开(公告)号:CN111769103B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202010601783.4

    申请日:2020-06-29

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元;S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移;S3重复S2,将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术,在发光结构之间形成金属连接层,将不同颜色发光结构连接在一起,实现多色Micro LED的制备,具有结构稳定、易于操作等特点。

    一种自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜及其制备方法以及具有该隔膜的锂硫电池

    公开(公告)号:CN115693026A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211373653.5

    申请日:2022-11-03

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜及其制备方法以及具有该隔膜的锂硫电池。该锂硫电池隔膜,包括空白隔膜,所述空白隔膜的一侧涂覆有修饰涂层,所述修饰涂层中包含有自组装多级结构钒酸锌、导电剂和粘结剂。该锂硫电池隔膜的制备方法,通过水热合成法和化学气相沉积(CVD)法制备一种自组装多级结构钒酸锌,进而得到隔膜修饰浆料,将隔膜修饰浆料用刮刀均匀地涂覆于空白隔膜的一侧表面上,并在真空干燥箱中干燥,待干燥后裁剪为圆片,即得所述自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜。本发明修饰隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应,采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。

    一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法

    公开(公告)号:CN105226179B

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201510424606.2

    申请日:2015-07-20

    申请人: 南昌大学

    发明人: 程抱昌 赵婕

    IPC分类号: H01L35/02 H01L35/34

    摘要: 一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法,热发电机包括绝缘基底、单根一维同质结微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根一维同质结微/纳米线放置在绝缘基底上,单根一维同质结微/纳米线两端分别焊接电极,电极分别连接有导线;封装材料将整个单根一维同质结微/纳米线、电极封装在薄膜基底上。本发明利用单根一维同质结微/纳米线中的成分差形成费米能级不均匀分布,实现所述热发电机在温度随空间位置变化、温度随时间变化以及温度稳定的环境中的应用。本发明制备工艺简易,操作简便,可在大气环境中无需消耗其他能源的情况下实现发电,有效提高了环境能源的收集和利用。