- 专利标题: 一种超高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其低碳烧结制备工艺
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申请号: CN202211045220.7申请日: 2022-08-30
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公开(公告)号: CN115385682B公开(公告)日: 2023-05-16
- 发明人: 赵学童 , 梁杰 , 肖永健 , 康晟淋 , 杨洋 , 杨丽君 , 成立 , 郝建 , 廖瑞金
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构: 重庆晟轩知识产权代理事务所
- 代理商 王海凤
- 主分类号: C04B35/453
- IPC分类号: C04B35/453 ; C04B35/622
摘要:
本发明公开了一种超高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其低碳烧结制备工艺,属于电气元件材料领域。超高电位梯度ZnO压敏陶瓷中包括氧化锌、氧化铋、氧化钴、三氧化二锰、氧化铬、氧化镍、氧化钙、氧化钇和硝酸铟晶体。其制备方法为按各成分的摩尔百分比取配料进行球磨得到混合粉料;再向混合粉料加入甲酸溶液或乙酸溶液进行混合得到初始粉料;再将混料充分研磨均匀,倒入模具,施压,烧结。本发明采用低碳烧结制备技术,得到具有超高电位梯度的ZnO压敏陶瓷,烧结耗能从传统固相烧结的109.18MJ/g降低到9.2‑34MJ/g。电位梯度高于2000V/mm,非线性系数最大约为106。
公开/授权文献
- CN115385682A 一种超高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其低碳烧结制备工艺 公开/授权日:2022-11-25
IPC分类: