本发明公开了巨自旋霍尔角金属‑氧化铪复合薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子新材料领域，为解决现有材料无法满足获得更强自旋霍尔效应的材料的问题。复合薄膜材料为生长于基片表面的金属‑氧化铪复合薄膜，金属‑氧化铪复合薄膜的组分为R(100‑x)‑(HfO2)(x)，R为金属元素Pt、W、Ta、Bi或其合金中任一种，x的取值范围为1~10，制备方法为：S1、选择R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合靶材作为溅射靶材；S2、将步骤S1中的R(100‑x)‑(HfO2)(x)靶材装在磁控溅射设备腔体靶位；S3、采用基片作为基底，清洗基片，用氮气吹干，保证基片表面洁净；S4、将步骤S3清洗后的基片放入磁控溅射设备中生长R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合薄膜，本方法操作简单、成本低，可广泛应用。