发明授权
- 专利标题： 一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途
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申请号： CN202211047631.X申请日： 2022-08-30
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公开(公告)号： CN115415351B公开(公告)日： 2024-07-02
- 发明人: 沈月 , 普志辉 , 闻明 , 王传军 , 陈天天 , 巢云秀 , 周利民 , 许彦亭 , 宋修庆
- 申请人： 贵研铂业股份有限公司
- 申请人地址： 云南省昆明市市辖区高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所)
- 专利权人： 贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人： 贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市市辖区高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所)
- 代理机构： 昆明今威专利商标代理有限公司
- 代理商 欧阳桥
- 主分类号： B21C25/02
- IPC分类号： B21C25/02 ; B22D11/04 ; C21D9/00 ; C22F1/02 ; C22F1/08 ; C23C14/34 ; C23C14/35
摘要：
本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
公开/授权文献
- CN115415351A 一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途 公开/授权日：2022-12-02
