发明授权
- 专利标题： 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法
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申请号： CN202211145953.8申请日： 2022-09-20
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公开(公告)号： CN115418716B公开(公告)日： 2024-01-30
- 发明人: 王金忠 , 张殷泽 , 赵晨晨 , 王东博
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王新雨
- 主分类号： C30B25/00
- IPC分类号： C30B25/00 ; C30B29/46 ; C30B29/64
摘要：
一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
公开/授权文献
- CN115418716A 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法 公开/授权日：2022-12-02