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公开(公告)号：CN113697780B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202111220991.0
申请日：2021-10-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法，属于功能纳米材料形貌调控技术领域。所述方法为：采用氯化铋、亚碲酸钾作为Bi2Te3纳米线的Bi源和Te源，加入去离子水，搅拌处理10～30min，充分混匀后，加入葡萄糖，室温下搅拌备用；在搅拌和冷水浴的条件下，滴加酸液控制溶液的pH在0～6；将溶液置于聚四氟乙烯内衬中将内衬置于不锈钢反应釜中，反应釜拧紧密封，随后置于烘箱加热；反应结束后，自然冷却至室温，将产物置于离心管中，加入乙醇溶液，随后离心，收集下层沉淀样品，进行多次洗涤，最后干燥即可。本发明的Bi2Te3纳米线产品分散性好、稳定性高、纯度高。整个合成方法绿色环保、相对简单，反应条件温和，安全可靠性好，原料价廉易得，对环境友好。
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公开(公告)号：CN109331844B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811250748.1
申请日：2018-10-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B01J27/051 , B01J35/02
摘要： 本发明公开了一种MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料及其制备方法，所述MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料以MoS2微球为基体材料，在MoS2微球表面负载PtCo合金纳米颗粒，具体制备步骤如下：首先通过水热法制备MoS2微球；然后通过PVP产生自组装所需的结合力；最后通过共还原的方式制备PtCo合金纳米颗粒，并使其负载于MoS2微球表面，得到MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料。MoS2/PtCo合金纳米颗粒复合材料具有与铂相近的催化能力且含铂量很低，并具有强于铂的催化稳定性，这对代替主流的贵金属催化剂具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115418716B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211145953.8
申请日：2022-09-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115418716A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211145953.8
申请日：2022-09-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113299779A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110580063.9
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨红外双色探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、MoS2层、WS2层和金电极，蓝宝石衬底上生长MoS2层，MoS2层上生长WS2层，金电极设置在MoS2层和WS2层上，具体制备方法如下：一、利用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上生长MoS2层；二、利用CVD技术在MoS2层上生长WS2层；三、利用磁控溅射技术在MoS2层和WS2层表面蒸镀金电极。本发明利用WS2层与MoS2层构成超晶格，通过调节厚度，在超晶格中形成多个子带能级，能级带隙满足中波双色红外探测要求，当入射光子大于等于超晶格的自带能级时，光生载流子可以在子带间跃迁，超晶格的电导率增加，实现红外双波段探测。
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公开(公告)号：CN113299778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
摘要： 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN113257933A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110580066.2
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。
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公开(公告)号：CN114935592B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210474732.9
申请日：2022-04-29
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N27/30 , G01N27/416
摘要： 本发明公开了一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用，属于光电材料和探测器的制备技术领域。本发明使用操作简便、过程可控的一步溶剂热法制备出了Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料，其中两种组分的比重可以通过调节Se源的摩尔量来调控。制备方法简单，纳米结构接触紧密，以该复合材料为工作电极制备的自供能光电探测器响应迅速，在近红外‑可见‑紫外波段均有较强的光电流响应，相比基于纯相Bi2Se3纳米片制备的自供能光电探测器，其探测性能有很大提升，能够有效地抑制光生电子‑空穴的复合。Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料的制备对未来发展Bi‑Se双元素材料的异质结构具有较高的参考价值。
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公开(公告)号：CN113257933B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110580066.2
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。
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公开(公告)号：CN116101984A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211441097.0
申请日：2022-11-17
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种碲化铋/碲/碳异质结纳米线的制备方法，属于功能纳米材料技术领域。所述方法为：取Bi源前驱体和Te源前驱体加入二次蒸馏水中，得到前驱体分散液；恒温水浴或油浴条件下搅拌30min，加入蔗糖还原剂；继续搅拌30min，调控分散液呈现酸性，进行微波反应；反应结束后，自然冷却至室温取样，离心洗涤，真空干燥即可。本发明合成Bi2Te3/Te/C纳米线处于微米尺度，比表面积约为30m2/g，这归因于蔗糖在微波辅助的酸性环境发生分解形成疏松的碳结构。同时这些碳的存在有效避免了纳米线的团聚从而具有较高的稳定性。因具有较高的比表面积和高的稳定性，Bi2Te3/Te/C纳米线异质结在光电催化、光电探测、储能以及环境污染物治理等领域有广阔的应用前景。
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