本发明属于高熵碳化物复相陶瓷技术领域，具体涉及一种高熵碳化物(VNbTaMoW)C5‑SiC复相陶瓷。本发明复相陶瓷是以金属碳化物和碳化硅(SiC)粉末为原料，采用放电等离子烧结，在较低温度下制得。本发明复相陶瓷的基体(VNbTaMoW)C5为面心立方结构，第二相SiC均匀分布。本发明中SiC的引入细化了高熵相的晶粒，所得复相陶瓷的高熵相的晶粒得到了细化，复相陶瓷的硬度可达17‑18 GPa，且断裂韧性好，同时还具有优异的耐磨性，其平均比磨损率为(5.7‑8.1)×10‑8 mm³/N•m。