本发明公开了一种低磁场下高牌号低铁损无取向硅钢及其生产方法，包括以下化学成分：C≤0.0025％、Si、Mn、Als，N≤0.0015％、Ti≤0.0020％，其余为Fe及不可避免的杂质，且杂质中的V+Nb+Mo≤0.006％，并需要满足[Al]＝1.628‑0.3013×[Si]，[Ti]×[N]×[C]≤3.5×10‑9；本发明在不添加贵重金属、不增加生产工序的条件下，通过合理的工艺措施，生产出Si含量在2.9～3.4％、Al含量在0.30～1.0％之间的一种低磁场下低铁损无取向硅钢方法，且产品表面硬度HV1控制在200～250之间，屈强比在0.75～0.78，可以较好的满足冲片加工要求。