发明公开
CN115449767A 一种细晶高纯镍靶材的制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种细晶高纯镍靶材的制备方法
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申请号: CN202211188785.0申请日: 2022-09-28
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公开(公告)号: CN115449767A公开(公告)日: 2022-12-09
- 发明人: 金青林 , 段小渝 , 闻明 , 王传军 , 蒋业华
- 申请人: 昆明理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号;
- 专利权人: 昆明理工大学,贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人: 昆明理工大学,贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号;
- 代理机构: 天津煜博知识产权代理事务所
- 代理商 朱维
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C22B9/05 ; C22B23/02 ; C22B23/06 ; C22F1/10
摘要:
本发明涉及一种细晶高纯镍靶材的制备方法,属于镍靶材技术领域。本发明将高纯镍板进行真空熔炼,真空度达1×100Pa时,通入高纯氢气,氢气氛围下熔融成镍熔体并恒温感应熔炼10min以上使氢气充分溶入镍熔体,浇铸得到镍锭;镍锭经表面铣削后冷轧得到冷轧镍板,其中轧制总变形量为50~60%;冷轧镍板匀速升温至温度450~650℃下退火处理0.5~2h,空冷至室温得到细晶高纯镍靶材。本发明氢气氛下的熔炼能够去除镍中的氧、碳等杂质元素,同时固溶在镍中的氢能够促进轧制过程的再结晶过程,从而获得细晶高纯镍靶材,本发明的金属镍靶材组织成分均匀,晶粒尺寸细小,非金属杂质含量显著降低。
IPC分类: