发明公开
- 专利标题: 基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体及其制备方法
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申请号: CN202210976638.3申请日: 2022-08-15
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公开(公告)号: CN115465845A公开(公告)日: 2022-12-13
- 发明人: 丁军 , 罗益欣 , 邓承继 , 余超 , 祝洪喜
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: C01B21/082
- IPC分类号: C01B21/082 ; C01F5/02
摘要:
本发明涉及一种基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是:以高硅菱镁矿粉末和纳米炭黑为原料、以氮化硅和镁粉为外加剂、以九水硝酸铁或六水硝酸镍为催化剂,配料;先将高硅菱镁矿粉末和纳米炭黑混合,球磨,得到混合料I;以乙醇溶液为介质,将镁粉、氮化硅粉、九水硝酸铁或六水硝酸镍用磁力搅拌机搅拌,干燥,研磨,得到混合料II;再将混合料I与混合料II球磨,得到球磨料。将球磨料压制成片状,在氮气气氛条件下,先升温至1250~1300℃,再升温至1350~1500℃,保温,随炉冷却;破碎,筛分,制得基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体。本发明合成温度低、工艺简单和易于工业化生产;所制制品纯度高和SiO2转化率高。
公开/授权文献
- CN115465845B 基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体及其制备方法 公开/授权日:2023-10-20