一种可控无缺陷氮化硅镁晶须粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN118600559A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410555849.9

    申请日:2024-05-07

    IPC分类号: C30B29/62 C30B29/38 C30B1/10

    摘要: 本发明涉及一种可控无缺陷氮化硅镁晶须粉体及其制备方法。其技术方案是:以纳米硅粉和镁粉为原料、以六水硝酸镍或九水硝酸铁为催化剂,分别配料。将纳米硅粉分散至含酚醛树脂的酒精溶液中,氮气气氛中磁力搅拌,得混合液Ⅰ;向混合液Ⅰ中加入六水硝酸镍或九水硝酸铁,搅拌,得混合液Ⅱ。向混合液Ⅱ中加入聚乙二醇,搅拌,过滤,干燥,在氮气气氛中升温至500~600℃,保温,冷却,破碎,筛分,得混合物;将混合物和镁粉混合,球磨,压制成型,在氮气气氛中,升温至1300~1500℃,保温,随炉冷却,破碎,酸洗,干燥,筛分,制得可控无缺陷氮化硅镁晶须粉体。本发明设备成本低和反应过程易控制;用该方法所制制品无缺陷、强度高且纯度高。

    基于低温合成的镁铝尖晶石@刚玉粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN118598641A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410664290.3

    申请日:2024-05-27

    摘要: 本发明涉及一种基于低温合成的镁铝尖晶石@刚玉粉体及其制备方法。其技术方案是:以柠檬酸镁和七水合硫酸镁作镁源、板状刚玉微粉作氧化铝源、六水合氯化镁为熔盐介质。将柠檬酸镁和七水合硫酸镁混合后加入去离子水中,搅拌,得到溶液A;将板状刚玉微粉加入到溶液A中,搅拌,烘干,得到混合料B;将六水合氯化镁与混合料B混合,搅拌,得到混合料C。将混合料C压制成型,在高温管式炉内流动保护气氛条件下,升温至1000~1300℃,保温,随炉冷却;破碎,用去离子水洗涤,再用异丙醇洗涤,干燥,制得基于低温合成的镁铝尖晶石@刚玉粉体。本发明制备的基于低温合成的镁铝尖晶石@刚玉粉体包覆结构完整、结合强度高、抗侵蚀性能优异和纯度高。

    一种MLCC用纳米二氧化钛及其制备方法

    公开(公告)号:CN116969505A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310939900.1

    申请日:2023-07-28

    摘要: 本发明涉及一种MLCC用纳米二氧化钛及其制备方法。其技术方案是:将硫酸氧钛溶液、钛酸四丁酯与磷酸二氢钾液混匀,在磁力搅拌条件下加入尿素溶液,调节pH值至8.5~10.5,再于70~95℃条件下持续搅拌2~3h,静置,得到二氧化钛浆料。对二氧化钛浆料洗涤、抽滤,所得滤饼与十二烷基硫酸钠溶液混合,喷雾干燥,得到中间料粉体;将中间料粉体置于微波炉中,以50~80℃/min的速率升温至300~450℃,保温,制得MLCC用纳米二氧化钛。本发明具有成本低、能耗小、生产周期短和易于工业化生产的特点,保证了中间料粉体成核速度一致,所得纳米二氧化钛为纯金红石型,所制备的MLCC用纳米二氧化钛纯度高、粒径小和能直接应用于MLCC。

    一种MLCC用纳米钛酸钡及其制备方法

    公开(公告)号:CN116969503A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310939868.7

    申请日:2023-07-28

    IPC分类号: C01G23/00 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明涉及一种MLCC用纳米钛酸钡及其制备方法。其技术方案是:将硫酸氧钛溶液、钛酸四丁酯与磷酸二氢钾液混合,在磁力搅拌条件下加入尿素,调节pH值至8.5~10.5,再于80~95℃条件下持续搅拌2~3h,得到氧化钛浆料;对氧化钛浆料进行喷雾干燥,即得氧化钛粉体;将氧化钛粉体、氧化钡和氢氧化物混合,加入纯水和乙二醇,混合均匀,得到前驱体悬浊液;将前驱体悬浊液移至聚四氟乙烯反应釜,置于微波设备中加热,保温,自然冷却,经洗涤、抽滤和干燥,制得MLCC用纳米钛酸钡。本发明具有能耗小、生产成本低和生产周期短的特点,所制备的MLCC用纳米钛酸钡粉体纯度高、粒径小、分散性好且四方性高,能直接应用于片式多层陶瓷电容器。

    一种陶瓷-弹簧隔振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114853452B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202210583464.4

    申请日:2022-05-25

    摘要: 本发明具体涉及一种陶瓷‑弹簧隔振器及其制备方法。其技术方案是:所述陶瓷‑弹簧隔振器是在隔振器上压盖(1)和隔振器下压盖(3)之间装有圆柱形压缩弹簧(2)。隔振器上压盖(1)或隔振器下压盖(3)的制备方法是:以70~80wt%铝矾土细粉、10~15wt%的钾长石和10~15wt%的白云石细粉为原料,球磨,再加入原料4~6wt%的去离子水,混合,困料;分别装入隔振器上压盖(1)或隔振器下压盖(3)的专用模具中,机压成型,干燥;最后置于高温炉中升温至1350~1400℃,保温2~3h,随炉冷却至室温,制得隔振器上压盖(1)和隔振器下压盖(3)。本发明生产成本低,所制备的陶瓷‑弹簧隔振器承载力高、耐腐蚀性和耐磨性较强,使用寿命长且对环境友好。

    基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN115465845A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202210976638.3

    申请日:2022-08-15

    IPC分类号: C01B21/082 C01F5/02

    摘要: 本发明涉及一种基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是:以高硅菱镁矿粉末和纳米炭黑为原料、以氮化硅和镁粉为外加剂、以九水硝酸铁或六水硝酸镍为催化剂,配料;先将高硅菱镁矿粉末和纳米炭黑混合,球磨,得到混合料I;以乙醇溶液为介质,将镁粉、氮化硅粉、九水硝酸铁或六水硝酸镍用磁力搅拌机搅拌,干燥,研磨,得到混合料II;再将混合料I与混合料II球磨,得到球磨料。将球磨料压制成片状,在氮气气氛条件下,先升温至1250~1300℃,再升温至1350~1500℃,保温,随炉冷却;破碎,筛分,制得基于高硅菱镁矿的氧化镁@氮化硅镁粉体。本发明合成温度低、工艺简单和易于工业化生产;所制制品纯度高和SiO2转化率高。

    一种基于熔盐法的氮化硅镁粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110240132B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN201910472618.0

    申请日:2019-05-31

    IPC分类号: C01B21/082

    摘要: 本发明涉及一种基于熔盐法的氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是:以27~30wt%的镁粉、45~48wt%的氮化硅粉、13~16wt%的氯化钾和10~13wt%的氯化钠为原料配料,外加原料0.02~0.05wt%的添加剂。以乙醇溶液为介质,将镁粉和氮化硅粉球磨,干燥,研磨,加入氯化钾、氯化钠和添加剂,球磨。然后压制成片状,在氮气气氛下以5~10℃/min的速率升温至600~900℃,再以3~5℃/min的速率升温至1100~1400℃,保温,随炉冷却,破碎,酸溶液中浸泡,用蒸馏水洗涤,烘干,制得基于熔盐法的氮化硅镁粉体。本发明具有合成温度低、生产周期短、生产成本低和可工业化生产的特点,所制备的基于熔盐法的氮化硅镁粉体热导率和纯度高。

    基于碳化铝铌的碳化铌-氮化铝复合粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110357103B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201910586316.6

    申请日:2019-07-01

    IPC分类号: C01B32/914 C01B21/072

    摘要: 本发明涉及一种基于Nb2AlC的NbC‑AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是:将Nb2AlC粉体置于石墨坩埚中,再将所述石墨坩埚放入气氛炉中;在氮气气氛下,以1~5℃/min的升温速率,将所述石墨坩埚升温至1200~1600℃,保温1~3h,自然冷却至室温,制得基于Nb2AlC的NbC‑AlN复合粉体。本发明具有生产周期短、工艺简单和成本低的特点;用该方法制备的基于Nb2AlC的NbC‑AlN复合粉体纯度高和颗粒分布均匀。

    一种基于发泡法的AlN-SiC多孔复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN109133986B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201811229600.X

    申请日:2018-10-22

    摘要: 本发明涉及一种基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷及其制备方法。其技术方案是:按Al4SiC4粉∶去离子水的质量比为1∶(0.15~0.3)配料,搅拌,得到Al4SiC4浆料。再按所述Al4SiC4粉∶泡沫稳定剂∶发泡剂∶表面活性剂的质量比为1∶(0.01~0.025)∶(0.0125~0.025)∶(0.01~0.02),将泡沫稳定剂、发泡剂和表面活性剂混合,加入去离子水,搅拌,得到泡沫。将泡沫倒入Al4SiC4浆料中,搅拌,于模具中静置,干燥,脱模,在氮气气氛和1200~1500℃保温60~300min,冷却,即得基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷。本发明具有工艺简单和制备温度低的特点,所制备的AlN‑SiC多孔复合陶瓷局部化学成分均匀、机械强度高和生成的AlN晶须尺寸可控。

    SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111732438A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010515747.6

    申请日:2020-06-09

    摘要: 本发明涉及一种SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法。其技术方案是:将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内,真空条件下加热至1150~1250℃,充氮气至0.1~5MPa,保压条件下升温至1600~1800℃,保温保压10~300min,制得制品。或将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内,在真空条件下加热至1150~1250℃,用5~10min充氮气至0.1~1MPa,保压条件下加热至1500~1600℃,保温保压10~300min;再用5~10min充氮气至1.2~7MPa,保压条件下继续加热至1600~1800℃,保温保压10~60min,制得制品。所述坯体是将Al4SiC4粉体模压成型或将Al4SiC4粉体模压成型后再等静压成型。本发明所制制品抗氧化性能优异、致密度高且力学性能好。