本发明公开一种高度取向性的MAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将清洗后的衬底冷冻到183K‑213K之间；2)将MAPbI3钙钛矿前驱液旋涂到冷冻衬底上，上述MAPbI3钙钛矿前驱液的溶剂为DMF、DMSO、γ‑GBL中的一种或多种；3)在旋涂结束前滴入反型溶剂；4)在旋涂结束后，将衬底放置在加热台上，353K‑393K下退火20‑40分钟，即得。本发明的MAPbI3钙钛矿薄膜具有高度取向、高结晶性、大晶粒尺寸，光电性能获得了大幅提升，具有更小的激子结合能、更好的载流子输运性能和更好的吸光性。