本发明提供一种用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.1‑10份；水1‑20份；所述混合有机胺包括脂环胺和脂肪胺。所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。所述缓蚀剂包括主缓蚀剂氮苷类化合物和副缓蚀剂咪唑啉类化合物。本发明光刻胶剥离剂剥离能力优异，在能有效去除光刻胶的基础上，对三五族半导体化合物材料，特别是GaAs有很好的保护效果，能够抑制其腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。