-
公开(公告)号：CN115469516A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211364954.1
申请日：2022-11-03
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供一种用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.1‑10份；水1‑20份；所述混合有机胺包括脂环胺和脂肪胺。所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。所述缓蚀剂包括主缓蚀剂氮苷类化合物和副缓蚀剂咪唑啉类化合物。本发明光刻胶剥离剂剥离能力优异，在能有效去除光刻胶的基础上，对三五族半导体化合物材料，特别是GaAs有很好的保护效果，能够抑制其腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
公开(公告)号：CN112558434A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011530150.5
申请日：2020-12-22
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 一种光刻胶清洗剂组合物，其属于精细化工技术领域。该组合物包括有机碱、烷醇胺、二醇醚化合物、缓蚀剂和润湿剂。有机碱的含量决定着光刻胶的清洗能力，二醇醚化合物的加入能有效地提升季铵盐氢氧化物的溶解度。碳酸酯类化合物能有效的将光刻胶溶胀和软化，加入润湿剂后能吸附在光刻胶表面,促进溶剂和有机碱分子向膜内渗透，并且能将已经溶胀的光刻胶分散在光刻胶剥离剂中。该组合物还采用了复配型缓蚀剂，有机膦类缓蚀剂能螯合剥离剂中的金属离子，并且会沉积到金属表面形成保护膜；而糖醇类缓蚀剂的多羟基能在金属和非金属基材上形成化合键，防止金属及基材不受剥离剂腐蚀。两种缓蚀剂还会产生协同作用，提升保护能力。
-
公开(公告)号：CN117721474A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311746934.5
申请日：2023-12-19
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种芯片化学机械抛光后清洗剂，按照重量份计算，包括如下组分：功能剂1‑10份；缓蚀剂0.1‑0.5份；添加剂1‑5份；酰胺1‑10份；超纯水80‑90份；本发明还公开了该清洗剂的制备方法与用途。本发明利用功能剂对铜离子的强螯合能力来去除铜离子，利用缓蚀剂优先吸附特性，使其在铜表面形成保护膜，抑制清洗剂对铜表面的腐蚀。二者组成的复合使用在不腐蚀铜表面的前提下，有效去除氧化铜。此外添加剂中的苄氧羰基还可以保护功能剂中胺基不被破坏，以确保铜表面保护膜的稳定存在。
-
公开(公告)号：CN115421361B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211364958.X
申请日：2022-11-03
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供一种用于半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。所述用于半导体化合物光刻胶的剥离剂，包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.01‑5份；水1‑20份；所述混合有机胺包括季铵氢氧化物和链烷醇胺，所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。本发明用于半导体化合物光刻胶的剥离剂具有优异的剥离能力，在能有效的去除光刻胶的基础上，抑制对GaAs等三五族化合物的腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
公开(公告)号：CN112558434B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202011530150.5
申请日：2020-12-22
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 一种光刻胶清洗剂组合物，其属于精细化工技术领域。该组合物包括有机碱、烷醇胺、二醇醚化合物、缓蚀剂和润湿剂。有机碱的含量决定着光刻胶的清洗能力，二醇醚化合物的加入能有效地提升季铵盐氢氧化物的溶解度。碳酸酯类化合物能有效的将光刻胶溶胀和软化，加入润湿剂后能吸附在光刻胶表面,促进溶剂和有机碱分子向膜内渗透，并且能将已经溶胀的光刻胶分散在光刻胶剥离剂中。该组合物还采用了复配型缓蚀剂，有机膦类缓蚀剂能螯合剥离剂中的金属离子，并且会沉积到金属表面形成保护膜；而糖醇类缓蚀剂的多羟基能在金属和非金属基材上形成化合键，防止金属及基材不受剥离剂腐蚀。两种缓蚀剂还会产生协同作用，提升保护能力。
-
公开(公告)号：CN117778119A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311825082.9
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种芯片化学机械抛光后清洗剂，以质量份计，包括如下组分：螯合剂1‑10份；添加剂1‑5份；缓蚀剂0.1‑0.5份；有机碱1‑10份；去离子水80‑90份；其特征在于：所述螯合剂和所述添加剂皆为β‑环糊精衍生物。本发明多羟基的β‑环糊精衍生物的螯合剂与添加剂包含β‑环糊精‑聚乙二醇为亲水基团，由于同样具有环糊精的空腔结构和多羟基的结构特点与两者产生协同作用进而去除Cu‑BTA，同时聚乙二醇中的环氧乙烷基构成的亲水基团指向水中，两种基团共同作用将BTA‑“包裹”起来，阻止BTA‑再与铜离子结合，达到彻底去除Cu‑BTA的效果。
-
公开(公告)号：CN118652735A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410564163.6
申请日：2024-05-08
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种低腐蚀芯片光刻胶清洗液及其制备方法与用途。所述的光刻胶清洗液按照重量份计算，包括如下组分：季铵氢氧化物5‑15份；烷醇胺7‑30份；有机溶剂40‑90份；复配型缓蚀剂0.5‑5份，其中复配型缓蚀剂为苷类化合物和小檗碱及其衍生物的混合物。本发明的光刻胶清洗液使用了复配型缓蚀剂，可以协同作用保护金属和基材不受腐蚀，且保护能力大幅度提升。本发明的清洗液含有季铵氢氧化物，具有对半导体中光刻胶的快速去除能力，同时对金属具有低的腐蚀速率。本发明的清洗液无需加入有毒的缓蚀剂，对人体无害，亦可实现良好的金属保护效果。
-
公开(公告)号：CN117757578A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311626509.2
申请日：2023-11-30
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种含氨基酸的半导体芯片清洗液，按照重量份计算，包括如下组分：无机碱1‑15份；亚砜30‑50份；含巯基脯氨酸10‑20份；氨基酸及其衍生物5‑15份；醇胺10‑20份；超纯水30‑60份。本发明还公开了上述清洗液的制备方法及用途。本发明含巯基脯氨酸拥有独特的扭角结构，可互相交联约束形成交联约束肽，此结构在水溶液中高度稳定，约束肽可以将碱性分子进行包裹，随着时间增长慢慢释放延长清洗液寿命。约束肽的巯基还与铜络合形成钝化膜铜层保护，且钝化膜可直接被水清洗。醇胺的氨基酸基团也可与含巯基脯氨酸形成约束肽，促进清洗液寿命的延长。
-
公开(公告)号：CN115469516B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211364954.1
申请日：2022-11-03
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供一种用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。用于三五族半导体化合物光刻胶的剥离剂包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.1‑10份；水1‑20份；所述混合有机胺包括脂环胺和脂肪胺。所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。所述缓蚀剂包括主缓蚀剂氮苷类化合物和副缓蚀剂咪唑啉类化合物。本发明光刻胶剥离剂剥离能力优异，在能有效去除光刻胶的基础上，对三五族半导体化合物材料，特别是GaAs有很好的保护效果，能够抑制其腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
公开(公告)号：CN115421361A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211364958.X
申请日：2022-11-03
申请人： 江苏奥首材料科技有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供一种用于半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。所述用于半导体化合物光刻胶的剥离剂，包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.01‑5份；水1‑20份；所述混合有机胺包括季铵氢氧化物和链烷醇胺，所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。本发明用于半导体化合物光刻胶的剥离剂具有优异的剥离能力，在能有效的去除光刻胶的基础上，抑制对GaAs等三五族化合物的腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.033 秒)
