- 专利标题： 无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路
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申请号： CN202211073194.9申请日： 2022-09-02
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公开(公告)号： CN115483893B公开(公告)日： 2024-11-05
- 发明人: 王成 , 吴瑞宏
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构： 成都泰合道知识产权代理有限公司
- 代理商 向晟
- 主分类号： H03F1/26
- IPC分类号： H03F1/26 ; H03F1/30 ; H03F1/56 ; H03F3/19
摘要：
本发明实施例提供了一种无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路，该无电感的低温低噪声放大器电路由于采用无电感设计，能够直接提升芯片级LNA的集成度、Q值和噪声系数等性能指标；同时，一方面引入采用负反馈结构实现输入输出阻抗的最佳匹配，抑制寄生电容的影响，另一方面在多级放大单元的级间无电容，并结合恒流源进行直流耦合，可保证低频信号输入时的相位裕度足够大，进而实现电路整体的稳定。
公开/授权文献
- CN115483893A 无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路 公开/授权日：2022-12-16
