本发明公开了一种硅片用臭氧清洗方法及装置，包括如下步骤：首先在内槽体中配制好清洗溶液a，再将装有硅片的硅片放置篮浸入装有清洗溶液a中的内槽体中；接着将清洗溶液b注入到增压水泵，再从喷嘴高速喷射出去，喷射出的清洗溶液b和清洗溶液a因为压强差的原因形成局部涡流使两者充分混合反应生成高浓度的羟基；本发明中通过喷嘴向浸在溶液a中的硅片表面喷射清洗溶液b，两种溶液在硅片表面充分混合不断产生高浓度的羟基，实现了羟基的即时制取、即时利用，解决了传统臭氧清洗中羟基由于半衰期极短难以发挥作用的问题，发挥了羟基和有机物反应速率快无选择性的优势，提高了臭氧清洗的清洗效率和稳定性。