一种硅片用臭氧清洗方法及装置

    公开(公告)号:CN115488095B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202210963356.X

    申请日:2022-08-11

    IPC分类号: B08B3/08 B08B3/02

    摘要: 本发明公开了一种硅片用臭氧清洗方法及装置,包括如下步骤:首先在内槽体中配制好清洗溶液a,再将装有硅片的硅片放置篮浸入装有清洗溶液a中的内槽体中;接着将清洗溶液b注入到增压水泵,再从喷嘴高速喷射出去,喷射出的清洗溶液b和清洗溶液a因为压强差的原因形成局部涡流使两者充分混合反应生成高浓度的羟基;本发明中通过喷嘴向浸在溶液a中的硅片表面喷射清洗溶液b,两种溶液在硅片表面充分混合不断产生高浓度的羟基,实现了羟基的即时制取、即时利用,解决了传统臭氧清洗中羟基由于半衰期极短难以发挥作用的问题,发挥了羟基和有机物反应速率快无选择性的优势,提高了臭氧清洗的清洗效率和稳定性。

    一种硅片用臭氧清洗方法及装置

    公开(公告)号:CN115488095A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210963356.X

    申请日:2022-08-11

    IPC分类号: B08B3/08 B08B3/02

    摘要: 本发明公开了一种硅片用臭氧清洗方法及装置,包括如下步骤:首先在内槽体中配制好清洗溶液a,再将装有硅片的硅片放置篮浸入装有清洗溶液a中的内槽体中;接着将清洗溶液b注入到增压水泵,再从喷嘴高速喷射出去,喷射出的清洗溶液b和清洗溶液a因为压强差的原因形成局部涡流使两者充分混合反应生成高浓度的羟基;本发明中通过喷嘴向浸在溶液a中的硅片表面喷射清洗溶液b,两种溶液在硅片表面充分混合不断产生高浓度的羟基,实现了羟基的即时制取、即时利用,解决了传统臭氧清洗中羟基由于半衰期极短难以发挥作用的问题,发挥了羟基和有机物反应速率快无选择性的优势,提高了臭氧清洗的清洗效率和稳定性。

    一种叠片光伏组件用焊带及叠片光伏组件

    公开(公告)号:CN111933735B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202010780764.2

    申请日:2020-08-06

    IPC分类号: H01L31/05

    摘要: 本发明公开了一种叠片光伏组件用焊带,由圆形铜丝经局部冲压形成渐变厚度细长扁型的中段、过渡段,而后整体退火,再表面涂覆锡铅合金制得;并公开了具有该焊带的叠片光伏组件。通过对焊带结构优化和退火处理,焊带整体屈服强度降低,能够降低焊带与电池片接触后的应力冲击。焊带与电池片之间通过粘黏剂连接并分次固化粘黏剂,制得的叠片光伏组件在重叠区域能够避免电池片‑焊带‑电池片硬接触,粘黏剂厚度渐增,尤其在重叠区域可抵御层压过程中的应力冲击,降低制程碎片风险,提升叠片光伏组件的生产良率,经此封装的组件在外应力下作用下的隐裂风险大幅降低,组件可靠性大幅提升。

    一种基于凸点封装的抗蠕变易回收晶硅双面发电组件

    公开(公告)号:CN111755547B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202010535834.8

    申请日:2020-06-12

    摘要: 一种基于凸点封装的抗蠕变易回收晶硅双面发电组件,发电组件包括自上而下依次层叠设置的玻璃前板、第一封装胶膜层、晶硅双面电池片、第二封装胶膜层和玻璃/透明背板,第一封装胶膜层从上而下依次为胶膜外层、胶膜中间层和胶膜内层,第二封装胶膜层从上而下依次为胶膜内层、胶膜中间层和胶膜外层;胶膜中间层内外两面均设有凸点,胶膜外层和胶膜内层均设有与凸点相适配的凹槽;凸起和凹槽之间经过高温形成微交联;本发明基于凸点封装的双面发电组件既保证了组件背面优异的抗PID衰减性能,又保证了组件的抗蠕变性能,凸点封装保证了胶膜与玻璃和电池片的耐热可靠性粘接,不会发生蠕变问题,同时凹槽的微交联结构使组件的回收分离过程变得简单易行。

    一种光伏组件的切片方式及其连接结构

    公开(公告)号:CN113659036B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202110896239.1

    申请日:2021-08-05

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/05

    摘要: 本发明公开了一种光伏组件的切片方式及其连接结构,本方法中采用1/4切设计,可以大大的减少电流强度,从而减少因内阻而损失的能量,以显著的提升组件的输出功率,并可以根据该方法,减少组件内其余部件的使用量,如焊带可采用更薄型,主栅的使用数量也可以大大降低。本发明中还通过多种方式,可以弥补由于切片产生的效率差,从而提升均匀一致性,以提升光伏组件的使用寿命和稳定性。

    选择性制备TCO膜层异质结太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN114883452B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202210641361.9

    申请日:2022-06-08

    摘要: 本发明公开了一种选择性制备TCO膜层异质结太阳能电池的制造方法,在N型掺杂非晶硅层上沉积第一TCO薄膜,在第一TCO薄膜上对应于正面栅线位置选择性沉积第二TCO薄膜,在P型掺杂非晶硅层上沉积第三TCO薄膜,在第三TCO薄膜上对应于背面栅线位置选择性沉积第四TCO薄膜,合理控制TCO膜层与掺杂非晶硅层之间的功函数匹配,有利于电子和空穴的有效传输并收集,提高电导率,调节TCO膜层与金属栅线之间的接触电阻,可在不影响透光性的情况下降低金属栅线电极与TCO膜层之间的接触电阻,很好地解决透光性与导电率之间的矛盾,这在提高HJT太阳能电池光电转换效率的同时也降低了制造工艺难度。

    具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池

    公开(公告)号:CN115842068A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211514361.9

    申请日:2022-11-30

    摘要: 本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池,包括单晶硅片,单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线,构成电池正面,单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线,构成电池背面,本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1,本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B2。本发明以量产线异质结电池为基础,优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配,提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。

    一种沉积异质结电池铜栅线的方法

    公开(公告)号:CN115207170A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202211014217.9

    申请日:2022-08-23

    摘要: 本发明公开了一种沉积异质结电池铜栅线的方法,包括如下步骤:S1、制绒清洗;S2、非晶硅薄膜沉积;S3、透明导电薄膜沉积;S4、沉积铜细栅线:在透明导电薄膜沉积硅片的正面或背面沉积铜细栅线,形成铜细栅线沉积硅片;S5、丝网印刷栅线;本发明中,通过在硅片上沉积铜细栅线,用铜金属代替贵重的银金属,能够有效降低异质结电池的生产成本,同时通过沉积方法形成细栅线,相比较于电镀铜,生产研发设备少,工艺流程简单,不需要处理电镀铜废液,降低电镀铜废液对环境的影响,有效保护环境,大幅降低异质结电池在生产过程中的设备成本和生产成本。