本发明公开了一种半导体场效应集成电路及制备方法，包括：P型半导体衬底、第一区域、第二区域、绝缘板；所述半导体衬底上左侧设有第一区域，所述第一区域内部形成第一注入区；所述半导体衬底上右侧设有第二区域，所述第二区域内部形成第二注入区，且第一区域与第二区域共面；在第一区域与第二区域上层分别置有绝缘板。通过使用第一注入区、第二注入区对半导体集成电路进行离子注入，改善了N型半导体导电的接触质量，通过设置二氧化硅绝缘层，可以有效防止杂质往衬底表面渗透，提高器件集成电路的可靠性与稳定性。