发明授权
CN1155050C 三维结构存储器的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 三维结构存储器的制造方法
- 专利标题（英）： Method for producing three-D structure memory
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申请号： CN98803836.6申请日： 1998-04-03
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公开(公告)号： CN1155050C公开(公告)日： 2004-06-23
- 发明人: 格伦·J·利迪
- 申请人： 格伦·J·利迪
- 申请人地址： 美国怀俄明
- 专利权人： 格伦·J·利迪
- 当前专利权人： 格伦·J·利迪
- 当前专利权人地址： 美国怀俄明
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 08/835,190 1997.04.04 US
- 国际申请： PCT/US1998/006861 1998.04.03
- 国际公布： WO1998/045130 EN 1998.10.15
- 进入国家日期： 1999-09-29
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。
公开/授权文献
- CN1268925A 三维结构存储器 公开/授权日：2000-10-04
IPC分类:
