一种制备Cr7Se8单晶的方法

发明公开

摘要：

本发明公开了一种制备Cr7Se8单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2进行配料，于1100℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730℃，制得Cr7Se8单晶。本发明解决了制备Cr7Se8单晶困难的问题。

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IPC分类:

C	化学；冶金
C30	晶体生长
C30B	单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置
C30B9/00	使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；用区域熔融法的入C30B13/00；晶体提拉法入C30B15/00；在浸入的晶种上的入C30B17/00；液相外延生长法入C30B19/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B9/04	.熔融溶液冷却法
C30B9/08	..使用其他溶剂的
C30B9/12	...盐溶剂，例如助熔剂生长