发明授权
- 专利标题: 一种微电极及其制备方法和应用
-
申请号: CN202211335006.5申请日: 2022-10-28
-
公开(公告)号: CN115611230B公开(公告)日: 2023-09-15
- 发明人: 辛国庆 , 黄剑 , 刘泽鑫 , 王凡凡 , 李康勇
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 武汉欣博智慧知识产权代理事务所
- 代理商 陈冠先
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00 ; B81B3/00 ; H10N30/87 ; H10N30/06 ; G02B5/08
摘要:
本发明提供了一种微电极及其制备方法和应用。本发明的微电极的制备方法,包括以下步骤:在PDMS基体上首先旋涂聚二甲基戊二酰亚胺,然后再旋涂光刻胶,加热;根据需要的电极图案,对旋涂有光刻胶的PDMS基体进行曝光、显影;在PDMS基体上制备电极,然后剥离未曝光的光刻胶和聚二甲基戊二酰亚胺,即制备得到微电极。本发明的微电极的制备方法,利用聚二甲基戊二酰亚胺能够很好地旋涂在高疏水的PDMS基体上的特性,可以在不破坏PDMS基体结构的情况下旋涂上光刻胶,这样既避免了使用刻蚀和转印的复杂工艺,同时也可以快速制备大面积微米级别的微电极;本发明利用光刻技术来制备电极图案,可以快速实现制备微米级别的电极,从而实现智能玻璃及透明显示的应用。
公开/授权文献
- CN115611230A 一种微电极及其制备方法和应用 公开/授权日:2023-01-17