发明公开
- 专利标题： 一种低噪声高PSRR的LDO电路
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申请号： CN202211177467.4申请日： 2022-09-26
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公开(公告)号： CN115617112A公开(公告)日： 2023-01-17
- 发明人: 万禾湛 , 王宗民 , 涂彦杰 , 杨晓君 , 于广莹 , 王磊 , 李晓博 , 王秀芝 , 吕超 , 孔瀛 , 莫艳图 , 宋奎鑫 , 柏晓鹤 , 李阳 , 马佩 , 曹亦栋
- 申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址： 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 专利权人： 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人： 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址： 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 代理机构： 中国航天科技专利中心
- 代理商 李晶尧
- 主分类号： G05F1/567
- IPC分类号： G05F1/567
摘要：
本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路，属于模拟集成电路技术领域；包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr；采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构，以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声，增强了LDO的PSRR。
IPC分类:
