发明公开
- 专利标题： 具有中心馈电栅极的晶体管
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申请号： CN202210702542.8申请日： 2022-06-21
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公开(公告)号： CN115621311A公开(公告)日： 2023-01-17
- 发明人: V·希利姆卡尔 , K·金 , D·J·拉米 , B·M·格林 , I·卡里尔 , H·卡比尔
- 申请人： 恩智浦美国有限公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘倜
- 优先权： 17/376,026 20210714 US
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L23/48 ; H01L21/335
摘要：
本公开涉及具有中心馈电栅极的晶体管。一种晶体管包括连接到穿硅通孔(TSV)的源极接触件。漏极接触件连接到第一焊盘。栅极结构插入在所述源极接触件与所述漏极接触件之间。第二焊盘连接到所述栅极结构，所述第二焊盘包括与第二侧正好相对的第一侧，以及插入在所述第一侧与所述第二侧之间的第三侧，所述源极接触件接近所述第三侧、所述第一侧的第一部分和所述第二侧的第二部分。
IPC分类:
