本申请涉及半导体传感器技术领域，并提供了一种霍尔传感器及其制作方法，其制作方法包括：在衬底上制作具有二维电子气的外延材料层，在所述外延材料层远离所述衬底一面制作四个金属电极，四个所述金属电极分别位于凸四边形的四个顶点处；在所述外延材料层远离所述衬底一面且位于四个金属电极之间的位置制作介电绝缘层；在所述介电绝缘层远离衬底的一面且位于四个金属电极所在凸四边形的对角线交点处制作软磁材料层，得到霍尔传感器。本申请提供的霍尔传感器具有良好的灵敏度，能够在外部磁场不变的情况下，输出更高的霍尔电压。