发明公开
- 专利标题: 纳米制程集成电路清洗水的制备方法
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申请号: CN202211436541.X申请日: 2022-11-16
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公开(公告)号: CN115636557A公开(公告)日: 2023-01-24
- 发明人: 娄宇 , 郑伟 , 杨光明 , 程星华 , 王立 , 李功洲 , 陈保红
- 申请人: 中国电子工程设计院有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西四环北路160号3层二区317
- 专利权人: 中国电子工程设计院有限公司
- 当前专利权人: 中国电子工程设计院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西四环北路160号3层二区317
- 代理机构: 北京智桥联合知识产权代理事务所
- 代理商 朱峰
- 主分类号: C02F9/00
- IPC分类号: C02F9/00 ; C02F103/04 ; C02F101/38 ; C02F101/34
摘要:
本发明公开了一种纳米制程集成电路清洗水的制备方法,方法中,对一次纯水进行深除盐处理,一次纯水经第一混合光解吸收器降解总有机碳并脱除弱离子化杂质,随后通过第一真空膜脱气装置脱去氧气形成二次纯水;对二次纯水进行抛光处理,二次纯水经过催化型混合光解吸收器将痕量金属离子、弱离子化杂质和低分子有机物分别脱除至ppq级、ppt级和ppb级,同时将自由基复合氧化剂控制在亚ppb级。制备方法不仅提高了清洗水超低分子有机物的降解效率,将解离常数小于10‑9的弱离子化杂质降除至1 ng/l以下,而且可有效淬灭光解次生氧化剂,将其浓度在POD端控制在1μg/l以内。
公开/授权文献
- CN115636557B 纳米制程集成电路清洗水的制备方法 公开/授权日:2023-04-07