本申请涉及一种高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiC MOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiC MOSFET的栅极、第一试验电路以及源极可形成第一回路，以及漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiC MOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以测量目标SiC MOSFET的阈值电压。本申请能够更准确地监测SiC MOSFET器件的阈值电压。