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公开(公告)号：CN116087668A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310250939.2
申请日：2023-03-15
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请提供了毫米波高线性功率放大器的测试装置、方法及存储介质，测试装置包括中频信号源、第一本振模拟信号源、第二本振模拟信号源、双通道上变频集成模块、合路器、毫米波高线性功率放大器、第一下变频集成模块、第二下变频集成模块、第一毫米波功率计、第二毫米波功率计以及信号分析仪。中频信号源的第一输出端与双通道上变频集成模块的第一端电连接，中频信号源的第二端与双通道上变频集成模块的第二端电连接，双通道上变频集成模块的第三端与第一本振模拟信号源电连接。通过双通道上变频集成模块、第一下变频集成模块、第二下变频集成模块以及其他基础设备及配件，实现对毫米波高线性功率放大器电参数性能的高效测试。
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公开(公告)号：CN115116863A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210827825.5
申请日：2022-07-14
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/38
摘要： 本发明涉及一种芯片散热结构及其制备方法，芯片散热结构的制备方法包括：将制冷片进行减薄处理，以使制冷片的冷面和芯片贴合；在基板上贯穿开设有安装槽；其中，基板设置在散热件上；将制冷片安装在安装槽内，以使热面和散热件贴合；其中，制冷片的冷面和基板背向散热件的表面平齐；封装芯片和制冷片。将制冷片减薄之后，使得制冷片的冷面能够和芯片直接贴合接触，提高制冷效率，也降低了制冷片的厚度，使得制冷片安装在安装槽内后能够和基板的表面平齐，降低了芯片散热结构的整体体积，增加芯片散热结构及相关设备的集成度。同时，制冷片的热面和散热件贴合，进一步提高芯片散热结构的散热效果和散热效率。
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公开(公告)号：CN115639454B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211272452.6
申请日：2022-10-18
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请涉及一种高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiC MOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiC MOSFET的栅极、第一试验电路以及源极可形成第一回路，以及漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiC MOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以测量目标SiC MOSFET的阈值电压。本申请能够更准确地监测SiC MOSFET器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN116400152B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310242891.0
申请日：2023-03-13
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请涉及一种器件的可靠性确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：对施加了应力和功率射频信号的多个测试器件分别进行传输特性监测，得到每一测试器件各自的传输特性监测结果；当传输特性监测结果表征达到器件失效条件时，根据传输特性监测结果，确定器件失效时间；基于每一测试器件各自的器件失效时间，确定器件特征寿命与器件使用时间的关联关系；当获取到针对目标器件的可靠度分析请求时，基于目标器件的使用时间，按照关联关系确定目标器件的目标特征寿命；根据目标特征寿命所表征的时长，确定目标器件的使用可靠性。采用本方法能够对器件的可靠性做出准确评价。
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公开(公告)号：CN117811505A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311832323.2
申请日：2023-12-27
摘要： 本申请提供一种双通道毫米波高线性上变频集成装置和毫米波高线性功率放大器的测试系统，其中，双通道毫米波高线性上变频集成装置包括第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器、功分器、第一倍频放大链路、第二倍频放大链路、第一混频器、第二混频器、第一滤波放大链路和第二滤波放大链路。本申请的双通道毫米波高线性上变频集成装置用于为待测毫米波高线性功率放大器提供可用于测试IM3、ACPR及EVM指标的输入信号。进一步地，本申请的双通道毫米波高线性上变频集成装置至少具有可降低测试成本、提高测试准确性的优点。
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公开(公告)号：CN113899791B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111086102.6
申请日：2021-09-16
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明提供一种电极传感器及其制备方法、检测系统和检测方法。电极传感器包括：第一电极；第二电极，位于第一电极的一侧，与第一电极具有间距；透明隔离层，包覆第二电极，用于将待测气体与第二电极隔离；第一电极与第二电极的材料相同；第一电极与待测气体接触后发生反应，且第一电极的表面颜色和阻值随着反应时间的变化而变化。通过第一电极与待测气体反应后的颜色变化来判定环境中是否含有待测元素，同时采用第二电极和透明隔离层作为对照，可以更快速地看出第一电极颜色的变化；通过反应后第一电极的电阻，来判断待测气体的浓度。在对人身安全进行预警的同时，对器件运输、保存环境进行快速评估，保障器件在复杂环境下的高可靠应用。
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公开(公告)号：CN114324815A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111676691.3
申请日：2021-12-31
IPC分类号： G01N33/2022
摘要： 本发明公开了一种高效加速硫化综合试验装置及其方法。高效加速硫化综合试验装置包括样品室、温度控制箱、第一气体发生装置、第二气体发生装置、第三气体发生装置、载气清扫系统以及尾气回收系统；样品室具有测试腔以及与测试腔连通的第一连接孔、第二连接孔、第三连接孔、第四连接孔、第五连接孔，温度控制箱与样品室连接于以用于调节测试腔内的温度，第一气体发生装置与第一连接孔连通，第二气体发生装置与第二连接孔连通、第三气体发生装置与第三连接孔连通，载气清扫系统与第一连接孔、第二连接孔、第三连接孔、第四连接孔均连通，尾气回收系统与第五连接孔连通。本发明能够快速调整硫化要素，节时节力，提升硫化加速试验效率。
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公开(公告)号：CN118688602A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411174354.8
申请日：2024-08-26
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请涉及一种半导体器件栅氧退化机理的诊断方法，包括：提供半导体器件，测量获取所述半导体器件在初始状态下的第一动态电容数据及经老化试验后的第二动态电容数据；根据所述第一动态电容数据和所述第二动态电容数据进行分析，得到所述半导体器件的动态电容变化趋势；根据所述动态电容变化趋势分析获取所述半导体器件中栅氧化层的电荷变化情况；根据电荷变化情况诊断所述半导体器件中所述栅氧化层的退化机理。本申请实现了半导体器件中栅氧化层中不同区域退化情况的精确诊断，有助于准确分析栅氧化层中的具体退化位置和缺陷类型。
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公开(公告)号：CN116400152A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310242891.0
申请日：2023-03-13
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请涉及一种器件的可靠性确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：对施加了应力和功率射频信号的多个测试器件分别进行传输特性监测，得到每一测试器件各自的传输特性监测结果；当传输特性监测结果表征达到器件失效条件时，根据传输特性监测结果，确定器件失效时间；基于每一测试器件各自的器件失效时间，确定器件特征寿命与器件使用时间的关联关系；当获取到针对目标器件的可靠度分析请求时，基于目标器件的使用时间，按照关联关系确定目标器件的目标特征寿命；根据目标特征寿命所表征的时长，确定目标器件的使用可靠性。采用本方法能够对器件的可靠性做出准确评价。
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公开(公告)号：CN115270396A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210675008.2
申请日：2022-06-15
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本申请涉及一种热性能仿真分析方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过获取目标电子元器件芯片中单一元胞对应的单一三维温度分布，从而获取目标电子元器件芯片的整体三维温度分布，并根据整体三维温度分布进行封装芯片模型的封装传热仿真分析，得到传热分析结果，由此得到单一热性能分析结果，再根据单一热性能分析结果获取目标电子元器件芯片的完整热性能分析结果，能够真实地模拟出芯片的实际温度分布，模拟出单一芯片内部温度随工作状态的变化规律，有效反映电子元器件芯片发热和衬底传热真实情况。
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