发明公开
- 专利标题： 一种阻变选择器及其制备方法
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申请号： CN202211448231.X申请日： 2022-11-18
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公开(公告)号： CN115697034A公开(公告)日： 2023-02-03
- 发明人: 张法碧 , 李威 , 周娟 , 李海鸥 , 孙堂友 , 陈永和 , 刘兴鹏 , 李琦 , 王阳培华 , 廖清 , 陈赞辉 , 首美花 , 彭英 , 傅涛 , 肖功利
- 申请人： 桂林电子科技大学
- 申请人地址： 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 专利权人： 桂林电子科技大学
- 当前专利权人： 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址： 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 代理机构： 深圳市沈合专利代理事务所
- 代理商 吴京隆
- 主分类号： H10N70/20
- IPC分类号： H10N70/20
摘要：
本申请提供一种阻变选择器及其制备方法，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极，其中，底电极用于接地，阻变层作为介质层，在外加电场的作用下，薄膜材料能表现出两个不同的阻值，顶电极在电流作用下，通过氧化还原反应在薄膜内部形成导电细丝，从而使器件电阻发生跳变。本申请的制备方法简单，易操作，且所制备的器件具有循环次数高、开启电压低、散布性低、无电铸等优点。
