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公开(公告)号：CN113644189B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110889775.9
申请日：2021-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N10/13 , H10N10/01 , F25B21/02 , C08F251/00 , C08F251/02 , C08F220/06 , C08F220/56 , C08F220/54 , C08F289/00
Abstract: 本发明公开了一种基于双网络水凝胶散热的可穿戴热电制冷器件及其制备方法，采用浸泡过吸湿盐溶液的双网络水凝胶作为柔性热电制冷器件的散热器，有效的提高了器件性能，采用泡沫镍—导热硅胶的连接方式，有效降低热电制冷器件热端和水凝胶散热端的之间的接触热阻，从而进一步提升了器件的制冷性能，并且制作工艺简单、安全可靠，机械性能良好，材质柔软，弯曲半径小，使得整个热电制冷器件应用于人体穿戴时具有更好的舒适性，制冷温度最高可达7.5℃，制冷稳定性可长达11h,弯曲半径达到10‑15mm，解决了现有可穿戴热电制冷设备因散热不良而导致的效率低下和制冷稳定差等问题。
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公开(公告)号：CN116607111A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310443818.X
申请日：2023-04-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法，将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内，设置生长参数，使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜，在氧化镓中掺杂铟离子，可以拓宽带隙范围。该制备方法工艺步骤简单，易操作，进而可有效降低制备成本。
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公开(公告)号：CN105870314A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610263449.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种柔性硅基纳米薄膜热电器件，包括柔性玻璃基底，在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层，所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所述柔性玻璃基底上，所述硅基纳米薄膜热电臂之间采用石墨烯电极进行连接。本发明采用柔性玻璃基底，沉积在基底表面的纳米硅基薄膜在制备过程中可以采用高温快速退火工艺，有利于量子点和超晶格的生成，大幅提高硅基纳米薄膜热电性能。
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公开(公告)号：CN116504878A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310522786.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
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公开(公告)号：CN116256572A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211497199.4
申请日：2022-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种可用于薄膜热电器件的热电器件性能参数测试系统及方法，系统包括：待测薄膜热电器件1、热端上顶板2、热端上夹板3、热端下夹板5、热端支撑板固定螺母6、热端固定柱7、加热片8、热端下底板9、热端支撑板10、支撑底板11、冷端固定柱12、冷端支撑板13、半导体制冷片14、冷端下夹板15、冷端夹板固定螺母16、冷端下底板17、冷端上顶板18、冷端上夹板19、上位机控制模块20、下位机控制模块21、程控电阻箱22、电压表23及冷端支撑板固定螺母24。方法包括：1、调节所述冷端固定柱12按所述待测薄膜热电器件1尺寸进行冷端及热端固定。2、设定所述待测薄膜热电器件1的冷热端温度并进行温度控制。3、对所述程控电阻箱22进行阻值切换并记录电压值数据。4、根据阻值及电压数据计算开路电压、内阻、最大输出功率及塞贝克系数。按照尺寸本发明实现了对不同尺寸薄膜热电器件的测试并能够在上位机控制模块20准确实时显示待测器件的多种性能参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081541A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910995909.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀的柔性硅片及其制备方法。一种基于深硅刻蚀的柔性硅片的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的硬质硅片非刻蚀面涂覆导热硅油，使硬质硅片吸附在工作台上，通过深硅刻蚀工艺刻蚀硬质硅片到设计厚度，所述的深硅刻蚀工艺参数为，刻蚀气体流量为80-300sccm，保护气体的流量为10-30sccm，工艺总时间为45-90min，硅刻蚀速度为1-10μm/min，待刻蚀完成后，去除刻蚀硅片上的导热硅油后，获得柔性硅片。本发明提出的柔型硅片的制备方法易于实现自动化操作，工艺稳定，适合大规模量产，且制备得到的柔性硅片柔韧性很好，能够满足柔性半导体器件的工艺需求，具有很好的推广价值。
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公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
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公开(公告)号：CN115483341A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210977209.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型尼龙基硒化银热电薄膜的制备方法，先通过溶剂热法合成硒化银颗粒然后在乙二醇中均匀分散，之后均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，再经过放电等离子体烧结(SPS)处理，得到均匀致密的柔性尼龙基硒化银薄膜。本发明制备得到的薄膜热电性能较为优异，所采用的放电等离子体烧结(SPS)工艺可对薄膜微观形貌及载流子传输特性进行调控，降低了薄膜中的银含量，形成有序纤维结构，从而降低了载流子浓度并提高了载流子迁移率，使得Seebeck系数和电导率同时增强，该方法工艺简单，制备周期短，安全无污染，得到的薄膜热电性能优异，柔性良好。
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公开(公告)号：CN113921690A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111006809.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法。一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到硼、铝双掺的硅锗基热电材料。本发明通过特定含量的硼与铝双掺杂，并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。
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公开(公告)号：CN106505142B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610831800.7
申请日：2016-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L35/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳米线分散液均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，于75℃真空烘干得到粘附在玻璃纤维滤膜上的碲化银纳米线薄膜；将其夹在两张复印纸之间，放置于压片机中挤压成型，然后用刷子去掉碲化银纳米线薄膜背面的玻璃纤维滤膜碎片，置于真空烘箱中退火得到目标产物。本发明简单可控、制备周期短、安全无污染、能耗低、得到的薄膜热电性能优异，柔性良好，可以灵活地根据玻璃纤维膜的大小及形状制备出不同大小及形状的柔性热电薄膜，具有广阔的应用前景。
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