- 专利标题: 掩模版制备方法、掩模版、约瑟夫森结元件及量子芯片
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申请号: CN202110930147.0申请日: 2021-08-13
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公开(公告)号: CN115707325B公开(公告)日: 2024-07-16
- 发明人: 杨晖 , 代志鹏 , 马亮亮 , 尤兵 , 王念慈 , 陆瑞
- 申请人: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
- 专利权人: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
- 当前专利权人: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
- 主分类号: H10N60/01
- IPC分类号: H10N60/01 ; H10N60/12 ; G06N10/40 ; G06N10/20
摘要:
本申请公开了一种掩模版制备方法、掩模版、约瑟夫森结元件及量子芯片,属于量子信息领域,尤其是量子计算技术领域。掩模版制备方法包括:提供一介质层,所述介质层的厚度与待制备的目标图形的线宽之比大于图形化设备允许的切割深宽比;确定所述介质层的第一子层和第二子层,其中,所述第二子层的厚度与所述目标图形的线宽之比小于或等于所述切割深宽比;形成位于所述第二子层上的所述目标图形,以及位于所述第一子层上的第一图形,且所述第一图形暴露出所述目标图形。本申请能够在提供的介质层厚度与待制备的目标图形的线宽之比大于图形化设备允许的切割深宽比时,能够制备出包含目标图形的掩模版。
公开/授权文献
- CN115707325A 掩模版制备方法、掩模版、约瑟夫森结元件及量子芯片 公开/授权日:2023-02-17