发明公开
- 专利标题： 半导体存储器的检测方法及装置
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申请号： CN202111032560.1申请日： 2021-09-03
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公开(公告)号： CN115762615A公开(公告)日： 2023-03-07
- 发明人: 朴燦圭 , 杨红 , 杨涛 , 王文武 , 李俊杰 , 陈睿
- 申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 谷波
- 主分类号： G11C29/08
- IPC分类号： G11C29/08 ; G11C7/12
摘要：
本公开提供一种半导体存储器的检测方法及装置，所述方法包括：确定半导体存储器中的至少一个存储单元；向所述至少一个存储单元中写入第一位信息；在经过预设时间后，读取所述至少一个存储单元中的位信息，将其中第一位信息变为第二位信息的存储单元确定为不良存储单元，所述不良存储单元中存储电容与相邻位线之间存在电位影响。本公开可以检测出存储单元与位线之间的微小不良，相对于现有技术可以提高不良检测水平并减少检测费用。
