本发明公开了一种P型栅增强型GaN基功率器件及其制备方法，所述P型栅增强型GaN基功率器件包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、GaN耐压层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN盖帽层，所述GaN盖帽层表面设有源极和漏极和生长在P型复合层表面的栅极；所述P型复合层包括若干个周期性依次交替层叠生长的第一Mg原子扩散阻断层、第二Ga原子解吸附层和第三Mg原子吸附层。本发明提供的P型栅增强型GaN基功率器件能够解决受主杂质Mg原子电离困难、离化率低的问题。