本发明公开了一种镁合金层片状LPSO结构的层间距调控方法及诱导再结晶方法，其中的镁合金晶内层片状LPSO结构的层间距调控方法，包括以下步骤：步骤一：制备镁合金铸锭，所述镁合金铸锭中组织中具有块状LPSO相；步骤二：将步骤一中的所述镁合金铸锭在510‑525℃保温30‑45h进行固溶热处理；步骤三：将步骤二经过高温固溶热处理后的铸锭先以1.5‑3℃/min的降温速率冷却至450℃‑400℃，再以10℃‑15℃/min的降温速率冷却至20‑30℃。经过本发明处理后的铸锭再进行热变形，可克服了现有技术中动态再结晶主要优先发生在晶界处的不足，提高了镁合金再结晶区域的占比，降低了合金变形抗力，进而改善了镁合金的可成形能力，进一步细化了组织，提高了锻件的力学性能。