- 专利标题： 镁合金层片状LPSO结构的层间距调控方法及诱导再结晶方法
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申请号： CN202211395876.1申请日： 2022-11-09
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公开(公告)号： CN115786828B公开(公告)日： 2023-11-28
- 发明人: 李际宇 , 曾健 , 王甫霖 , 王锋华 , 董帅 , 董杰
- 申请人： 上海交通大学
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构： 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理商 任宁; 胡晶
- 主分类号： C22F1/06
- IPC分类号： C22F1/06 ; C22C23/06
摘要：
本发明公开了一种镁合金层片状LPSO结构的层间距调控方法及诱导再结晶方法，其中的镁合金晶内层片状LPSO结构的层间距调控方法，包括以下步骤：步骤一：制备镁合金铸锭，所述镁合金铸锭中组织中具有块状LPSO相；步骤二：将步骤一中的所述镁合金铸锭在510‑525℃保温30‑45h进行固溶热处理；步骤三：将步骤二经过高温固溶热处理后的铸锭先以1.5‑3℃/min的降温速率冷却至450℃‑400℃，再以10℃‑15℃/min的降温速率冷却至20‑30℃。经过本发明处理后的铸锭再进行热变形，可克服了现有技术中动态再结晶主要优先发生在晶界处的不足，提高了镁合金再结晶区域的占比，降低了合金变形抗力，进而
公开/授权文献
- CN115786828A 镁合金层片状LPSO结构的层间距调控方法及诱导再结晶方法 公开/授权日：2023-03-14
